[发明专利]具有微电池的半导体结构及其制造方法有效
| 申请号： | 201310156467.0 | 申请日： | 2013-04-28 |
| 公开（公告）号： | CN103928699A | 公开（公告）日： | 2014-07-16 |
| 发明（设计）人： | 倪其聪;王乙翕;邱义勋;苏钦豪 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01M10/04 | 分类号： | H01M10/04 |
| 代理公司： | 北京德恒律治知识产权代理有限公司 11409 | 代理人： | 章社杲;孙征 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种集成结构的一个实施例，该集成结构包括由埋置在第一半导体衬底中的第一导电材料形成的第一电极；由埋置在第二半导体衬底中的第二导电材料形成的第二电极；以及设置在第一和第二电极之间的电解质。通过接合焊盘将第一和第二半导体衬底接合在一起，从而使得第一和第二电极被封闭在第一和第二半导体衬底之间。第二导电材料不同于第一导电材料。本发明还提供了一种具有微电池的半导体结构及其制造方法。 | ||
| 搜索关键词： | 具有 电池 半导体 结构 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种集成结构，包括：第一电极，由第一导电材料形成，被埋置在第一半导体衬底中；第二电极，由第二导电材料形成，被埋置在第二半导体衬底中；以及电解质，设置在所述第一电极和所述第二电极之间，其中，所述第一半导体衬底和所述第二半导体衬底通过接合焊盘接合在一起，使得所述第一电极和所述第二电极被封闭在所述第一半导体衬底和所述第二半导体衬底之间，并且所述第二导电材料不同于所述第一导电材料。
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