[发明专利]一种绝缘栅双极型晶体管及其自对准制作方法

摘要

本发明的涉及电力电子技术领域的半导体器件，具体为一种绝缘栅双极型晶体管及其制造方法，包括第一导电类型衬底，第一导电类型衬底的第一主面内设有第二导电类型基区，第二导电类型基区内设有第二导电类型深扩散区，第二导电类型基区内设有带有横向电子通路单元第一导电类型发射区，在减小器件窗口的设计下，电极孔刻蚀时由于光刻机的精度原因，有时候电极不能和发射极的一边接触，导致器件一半失效，而本发明横向的第二单元发射区的设置则能实现在任何情况下电极和两边发射极都能接触，这样增加了器件的可靠性。

主权项

一种绝缘栅双极型晶体管，包括：第一导电类型的晶硅基区；所述晶硅基区上设有第一绝缘层；所述第一绝缘层上设有多晶硅栅极导电层，所述多晶硅栅极导电层中注入重粒子；在所述多晶硅栅极导电层上设有第二绝缘层；至少刻蚀多晶硅栅极导电层和第二绝缘层，形成具有第一倾斜侧壁和第二倾斜侧壁的窗口；所述晶硅基区至少设有与所述晶硅基区导电类型相反的第二扩散区、与所述晶硅基区导电类型相同的第三扩散区、与所述晶硅基区导电类型相反的第四扩散区以及与所述晶硅基区导电类型相反的第五扩散区，所述第五扩散区在所述晶硅基区下表面上形成且所述第五扩散区作为集电极区，在所述第五扩散区的下表面上设有集电极；至少在所述第一倾斜侧壁和第二倾斜侧壁上形成第三绝缘层；所述第二扩散区与所述第三扩散区、所述第四扩散区均相互接触，其中第三扩散区作为发射区，第四扩散区作为源区；所述第二绝缘层上，在所述窗口两侧分别设有第一开口和第二开口，露出多晶硅栅极导电层；还包括至少与所述多晶硅栅极导电层、第三扩散区和第四扩散区接触的金属层，所述金属层使得第三扩散区和第四扩散区短路，形成发射极；所述多晶硅栅极导电层以及与之接触的金属层形成栅极。