[发明专利]一种绝缘栅双极型晶体管及其自对准制作方法

权利要求书

1.一种绝缘栅双极型晶体管，包括：第一导电类型的晶硅基区；所述晶硅基区上设有第一绝缘层；所述第一绝缘层上设有多晶硅栅极导电层，所述多晶硅栅极导电层中注入重粒子；在所述多晶硅栅极导电层上设有第二绝缘层；至少刻蚀多晶硅栅极导电层和第二绝缘层，形成具有第一倾斜侧壁和第二倾斜侧壁的窗口；所述晶硅基区至少设有与所述晶硅基区导电类型相反的第二扩散区、与所述晶硅基区导电类型相同的第三扩散区、与所述晶硅基区导电类型相反的第四扩散区以及与所述晶硅基区导电类型相反的第五扩散区，所述第五扩散区在所述晶硅基区下表面上形成且所述第五扩散区作为集电极区，在所述第五扩散区的下表面上设有集电极；至少在所述第一倾斜侧壁和第二倾斜侧壁上形成第三绝缘层；所述第二扩散区与所述第三扩散区、所述第四扩散区均相互接触，其中第三扩散区作为发射区，第四扩散区作为源区；所述第二绝缘层上，在所述窗口两侧分别设有第一开口和第二开口，露出多晶硅栅极导电层；还包括至少与所述多晶硅栅极导电层、第三扩散区和第四扩散区接触的金属层，所述金属层使得第三扩散区和第四扩散区短路，形成发射极；所述多晶硅栅极导电层以及与之接触的金属层形成栅极。

2.根据权利要求1所述一种绝缘栅双极型晶体管，其特征在于：所述第二扩散区位于所述晶硅基区上表面的下方，所述第三扩散区位于所述第二扩散区内，所述第四扩散区位于第三扩散区的下方，在所述第三扩散区的中部设有一凹槽，所述金属层通过该凹槽与所述第四扩散区接触。

3.根据权利要求1所述一种绝缘栅双极型晶体管，其特征在于：所述第二扩散区是由一非均匀扩散源推阱得到。

4.根据权利要求3所述一种绝缘栅双极型晶体管，其特征在于：所述非均匀扩散源的浓度分布为：所述窗口内的浓度均匀，所述窗口外的浓度根据到窗口的距离由近到远递减。

5.根据权利要求1所述一种绝缘栅双极型晶体管，其特征在于：所述第五扩散区和晶硅基区之间还设有与所述晶硅基区导电类型相同的第六扩散区。

6.根据权利要求1所述一种绝缘栅双极型晶体管，其特征在于：所述第一绝缘层的厚度为500A-1500A。

7.根据权利要求1所述一种绝缘栅双极型晶体管，其特征在于：所述多晶硅栅极导电层的厚度为2000A-8000A。

8.根据权利要求1所述绝缘栅双极型晶体管，其特征在于：所述第二绝缘层和第三绝缘层的厚度均为2000A-20000A。