[发明专利]一种硬掩膜叠层结构及其制作方法有效
| 申请号： | 201310136109.3 | 申请日： | 2013-04-18 |
| 公开（公告）号： | CN104112698B | 公开（公告）日： | 2017-03-29 |
| 发明（设计）人： | 周鸣 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/768 | 分类号： | H01L21/768 |
| 代理公司： | 上海光华专利事务所31219 | 代理人： | 余明伟 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明提供一种硬掩膜叠层结构及其制作方法，所述硬掩膜叠层结构包括低k介质硬膜层，结合于基底表面；氟硅玻璃层，结合于所述低k介质硬膜层表面；金属硬膜层；结合于所述氟硅玻璃层表面；屏蔽氧化层，结合于所述金属硬膜层表面。本发明采用氟硅玻璃层替换了传统的正硅酸乙酯硬膜层HMTEOS，克服了正硅酸乙酯硬膜层的刻蚀速率相对所述低k介质层慢而形成悬突结构的缺陷，避免了后续沉积工艺中孔洞的产生，从而大大提高了沉积的质量，提高器件的稳定性和性能。本发明工艺简单，适用于工业生产。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 硬掩膜叠层 结构 及其 制作方法 | ||
【主权项】：
一种硬掩膜叠层结构，其特征在于，至少包括：低k介质硬膜层，结合于基底表面，所述基底包括SiCN层以及结合于所述SiCN层表面的超低k介质层；氟硅玻璃层，结合于所述低k介质硬膜层表面；金属硬膜层，结合于所述氟硅玻璃层表面。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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