[发明专利]化学气相沉积反应器过程室清洁方法有效
| 申请号： | 201310123256.7 | 申请日： | 2013-02-25 |
| 公开（公告）号： | CN103290387B | 公开（公告）日： | 2017-03-01 |
| 发明（设计）人： | O·罗肯费勒;H·格鲁布 | 申请（专利权）人： | 艾克斯特朗欧洲公司 |
| 主分类号： | C23C16/44 | 分类号： | C23C16/44 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所11105 | 代理人： | 侯宇 |
| 地址： | 德国黑*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 该发明涉及一种清洁CVD‑反应器(1)的过程室(4)的方法，该过程室具有一个由加热装置(7)加热的基座(6)作为过程室底部(5)和一个与过程室底部(5)对置的过程室盖罩(3)，在CVD过程中在过程室底部(5)和过程室盖罩(3)上形成的寄生覆层通过借助加热装置(7)加热基座(6)并在两个相继的清洁步骤中输入腐蚀气体加以清除。为了有效地实施清洁步骤，建议在第一清洁步骤中在第一清洁温度下主要对过程室底部(5)进行清洁，接着将基座(6)从过程室中取出，然后在第二清洁步骤中在第二清洁温度下清洁过程室盖罩(3)。 | ||
| 搜索关键词： | 化学 沉积 反应器 过程 清洁 方法 | ||
【主权项】：
一种用于清洁CVD－反应器(1)的过程室(4)的方法，该过程室具有由加热装置(7)加热的基座(6)作为过程室底部(5)和与过程室底部(5)对置的过程室盖罩(3)，在CVD过程中在过程室底部(5)和过程室盖罩(3)上形成的寄生覆层通过借助加热装置(7)加热基座(6)并在两个相继的清洁步骤中输入腐蚀气体加以清除，其特征在于，在第一清洁步骤中在第一清洁温度下主要对过程室底部(5)进行清洁，接着将基座(6)从过程室中取出，然后在第二清洁步骤中在第二清洁温度下清洁过程室盖罩(3)。
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C23 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面化学处理；金属材料的扩散处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆；金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面扩散法，化学转化或置换法的金属材料表面处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆，例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上，例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆，例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的
C23C 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面扩散法，化学转化或置换法的金属材料表面处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆，例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上，例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆，例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的
