[发明专利]化学气相沉积反应器过程室清洁方法

说明书

技术领域

该发明涉及一种清洁CVD(化学气相沉积)-反应器过程室的方法，该过程室具有一个可由加热装置进行加热的基座作为过程室底座和一个与过程室底座对置的过程室盖罩，在CVD过程中在过程室底座和过程室盖罩上形成的寄生覆层通过借助加热装置加热底座和输入腐蚀气体在两个相继的清洁过程中加以去除。

背景技术

DE10102745C2说明了一种CVD-反应器和一种用于清洁CVD-反应器的方法，含氟气体被输送至反应室内，在反应室内该气体借助等离子体进行电离。

DE19832566C2说明了一种用于清洁CVD-反应器过程室的方法，在清洁过程中重复变化过程室的压力和温度。使用氯氟化合物作为腐蚀气体。

DE102006018515A1说明了一种方法，对于该方法而言，CVD-反应器的过程室通过输入腐蚀气体进行清洁。由于在腐蚀时过程室盖板会下降，过程室的高度降低，从而使得过程室的底座和盖板可以同时通过腐蚀加以清洁。

DE3888736T2＝EP0296804B1说明了一种CVD-反应器过程室清洁方法。在基座放电后，将含氯化氢的腐蚀气体的强气流输送至过程室中，以便对基座进行清洁。在基座清洁后，气体成分发生变化，整个反应器室上聚集的沉积物被清除。

US6,242,347B1说明了一种用于清洁过程室，尤其是基座的两阶段腐蚀方法，对此在清洁过程中将“Placebo Wafer(安慰晶片)”置于基座上，以便在清洁过程中保护基座的表面。建议使用石英片作为安慰晶片。

US2005/0242061A1说明了一种CVD-反应器清洁方法，对此将清洁气体输入过程室中，并在过程室中形成等离子体。

US5,812,403说明了一种CVD-反应器和一种通过腐蚀去除在涂敷过程中附着在过程室表面的涂层。使用和涂层反应的反应气体。

US6,042,654说明了一种通过输入氯气对CVD-反应器的过程室进行清洁的过程，氯气在热分解过程中分解为自由基。

EP0855453A1或者US5,348,587说明了一种方法，对于该方法而言，使用通过等离子体进行分解的含氯气体作为腐蚀气体，以便对CVD-反应器过程室的覆层和内壁加以清洁。

US6,242,347B1说明了一种两阶段清洁方法，可以对CVD-反应器过程室在涂敷过程中形成的覆层加以清洁。此处使用氯化合物作为腐蚀气体。对于该清洁步骤而言，过程室必须加热至比涂敷过程的过程温度更高的温度。

DE3888736T2说明了一种硅外延附生物分离方法，在分离过程后过程室通过输入腐蚀气体进行清洁。

过程室包含一个过程室盖板和一个用于支承待涂敷基材的基座，该基座可以由下方进行加热，DE102006018515A1，DE102006013801A1和DE10217806A1对这一特征作了说明。在该装置中，基材被放置在基座上，通过输送过程气体涂覆半导体涂层或者类似涂层。过程气体不仅会在基材的表面进行热分解，而且也会对裸露的、未被基材覆盖的基座表面区域以及过程室盖罩的表面进行热分解。在实施一次或者多次涂覆过程后必须清除寄生覆层。对此使用诸如氯化氢或者氯气。此外，清洁过程的效率还取决于待清洁表面的表面温度。通过在下方进行加热，将基座表面温度提高至进行腐蚀过程的600至650摄氏度。过程室盖罩由基座的辐射热量进行加热，因此温度稍低。为了更有效地实施腐蚀过程，上述现有技术建议减小过程室盖罩和过程室底部之间的垂直距离，以便可以在辐射热量传递的过程中过程室盖罩可以获得更高的温度。此外，由于基座的特征，尤其是基座表面的涂层，基座无法被加热超过特定的极限温度，因此基座的可加热性受限。

发明内容

该发明的所要解决的技术问题在于更高效地实施清洁过程。