[发明专利]氮化钛化学气相沉积设备无效
| 申请号： | 201310122127.6 | 申请日： | 2013-04-09 |
| 公开（公告）号： | CN103194730A | 公开（公告）日： | 2013-07-10 |
| 发明（设计）人： | 周军 | 申请（专利权）人： | 上海华力微电子有限公司 |
| 主分类号： | C23C16/34 | 分类号： | C23C16/34;C23C16/458 |
| 代理公司： | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人： | 陆花 |
| 地址： | 201203 上海市浦*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种氮化钛化学气相沉积设备，包括用于承载硅片的底座以及设置于所述硅片上端的喷头，所述底座的上表面所在的平面与所述喷头的喷射方向之间的夹角为60～89度，还包括驱动部件，所述驱动部件与所述底座连接，驱动所述底座绕垂直于所述底座的上表面的旋转轴旋转。本发明利用倾斜设置的底座，使得处于钨通孔下侧的侧壁能够充分与等离子体接触，完成等离子体的处理，且所述底座能够在驱动部件的带动下旋转，使得钨通孔的所有侧壁均能够充分与等离子体接触，从而扩大钨的填充空间，提高硅片的质量。 | ||
| 搜索关键词： | 氮化 化学 沉积 设备 | ||
【主权项】：
一种氮化钛化学气相沉积设备，包括用于承载硅片的底座以及设置于所述硅片上端的喷头，其特征在于，所述底座的上表面所在的平面与所述喷头的喷射方向之间的夹角为60～89度，还包括驱动部件，所述驱动部件与所述底座连接，驱动所述底座绕垂直于所述底座的上表面的旋转轴旋转。
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C23 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面化学处理；金属材料的扩散处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆；金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面扩散法，化学转化或置换法的金属材料表面处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆，例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上，例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆，例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的
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