[发明专利]TFT-LCD阵列基板及其制造方法有效
| 申请号： | 201310098588.4 | 申请日： | 2013-03-25 |
| 公开（公告）号： | CN103199094A | 公开（公告）日： | 2013-07-10 |
| 发明（设计）人： | 洪孟逸 | 申请（专利权）人： | 南京中电熊猫液晶显示科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L27/12 | 分类号： | H01L27/12;H01L29/786;H01L21/77;G02F1/1362;G02F1/1368 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 210033 江苏省南京市仙林大道科*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明公开一种TFT-LCD阵列基板，包括形成在基板上的扫描线和数据线，所述扫描线和数据线限定的像素区域内形成像素电极和薄膜晶体管，所述的薄膜晶体管包括与扫描线相连接的栅极、与数据线相连接的源极、与像素电极相连接的漏极以及源电极和漏电极之间形成的薄膜晶体管的半导体层；所述像素区域内还形成有与所述像素电极一起构成存储电容的存储电极，所述的存储电极和所述的薄膜晶体管的半导体层为透明材质的IGZO。其中，对所述的存储电极和所述的薄膜晶体管的半导体层进行离子注入处理，并在同一制程中完成。通过本发明方案，在不增加光罩制程以及材料的情况下，达成利用IGZO作为透明存储电极的目标，大幅提升像素的开口率，符合产业针对画质的需求。 | ||
| 搜索关键词： | tft lcd 阵列 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种TFT‑LCD阵列基板，包括形成在基板上的扫描线和数据线，所述扫描线和数据线限定的像素区域内形成像素电极和薄膜晶体管，所述的薄膜晶体管包括与扫描线相连接的栅极、与数据线相连接的源极、与像素电极相连接的漏极以及源极和漏极之间形成的薄膜晶体管的半导体层；所述像素区域内还形成有与所述像素电极一起构成存储电容的存储电极，其特征在于：所述的存储电极和所述的薄膜晶体管的半导体层为透明材质的IGZO。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
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