[发明专利]TFT-LCD阵列基板及其制造方法

权利要求书

1.一种TFT-LCD阵列基板，包括形成在基板上的扫描线和数据线，所述扫描线和数据线限定的像素区域内形成像素电极和薄膜晶体管，所述的薄膜晶体管包括与扫描线相连接的栅极、与数据线相连接的源极、与像素电极相连接的漏极以及源极和漏极之间形成的薄膜晶体管的半导体层；所述像素区域内还形成有与所述像素电极一起构成存储电容的存储电极，其特征在于：所述的存储电极和所述的薄膜晶体管的半导体层为透明材质的IGZO。

2.根据权利要求1所述的一种TFT-LCD阵列基板，其特征在于：对所述的存储电极和所述的薄膜晶体管的半导体层进行离子注入处理。

3.根据权利要求1所述的一种TFT-LCD阵列基板，其特征在于：所述的存储电极和所述的薄膜晶体管的半导体层在同一制程中完成。

4.根据权利要求1所述的一种TFT-LCD阵列基板，其特征在于：所述的像素区域还设有使相邻像素区域内的存储电极相互连接的连接电极。

5.一种TFT-LCD阵列基板的制造方法，其特征在于：包括，

步骤1、在基板上形成栅极和扫描线,栅极与扫描线相连接；并在经过上述处理的基板上沉积绝缘层;

步骤2、在经过所述步骤1处理的所述基板上，制作半导体层和存储电极以及连接电极，各像素间的存储电极通过连接电极相连接；

步骤3、在经过所述步骤2处理的所述基板上，在半导体层和存储电极上分别形成保护层，并利用离子注入或真空退火制程让无保护层处的半导体层和存储电极具备导体特性；

步骤4、在经过所述步骤3处理的所述基板上，形成源极、漏极和数据线；

步骤5、在经过所述步骤4处理的所述基板上，沉积保护层，保护层形成在数据线、源极、漏极、保护层以及存储电极上并覆盖整个基板；并在漏极的上方开保护层过孔；

步骤6、在经过所述步骤5处理的所述基板上，形成像素电极，像素电极通过保护层过孔与漏极相连接。

6.一种TFT-LCD阵列基板的制造方法，其特征在于：包括，

步骤1、在基板上制作半导体层和存储电极以及连接电极，各像素间的存储电极通过连接电极相连接；

步骤2、在经过所述步骤1处理的所述基板上，在半导体层上形成绝缘层，并利用例子注入或真空退火制程让无保护层处的半导体层和存储电极具备导体特性；使半导体层形成了TFT的半导体层、TFT的源极和TFT的漏极；

步骤3、在经过所述步骤2处理的所述基板上，形成栅极和扫描线,栅极与扫描线相连接；

步骤4、在经过所述步骤3处理的所述基板上，沉积保护层并覆盖整个基板，并在保护层上制作数据线；

步骤5、在经过所述步骤4处理的所述基板上，沉积保护层，保护层形成在数据线上，并覆盖整个基板；并在数据线的上方开保护层过孔、源极的上方开保护层过孔、漏极的上方开保护层过孔；

步骤6、在经过所述步骤5处理的所述基板上，形成像素电极；像素电极通过保护层过孔与漏极连接、数据线与源极相连接。