[发明专利]一种电可编程熔丝器件结构及其制作方法有效
| 申请号： | 201310089210.8 | 申请日： | 2013-03-19 |
| 公开（公告）号： | CN104064548B | 公开（公告）日： | 2017-08-01 |
| 发明（设计）人： | 甘正浩;冯军宏 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/525 | 分类号： | H01L23/525;H01L21/768 |
| 代理公司： | 北京市磐华律师事务所11336 | 代理人： | 董巍,高伟 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种电可编程熔丝器件结构，包括半导体衬底；在所述半导体衬底上形成的绝缘氧化层；在所述绝缘氧化层上形成的电可编程熔丝结构的阴极、阳极和连接所述阴极和所述阳极的熔丝，以及位于所述熔丝两侧的虚拟多晶硅层。根据本发明的制造工艺形成具有均匀且小特征尺寸的熔丝的电可编程熔丝器件结构，该电可编程熔丝器件结构能够满足更先进的技术节点的要求。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 可编程 器件 结构 及其 制作方法 | ||
【主权项】：
一种电可编程熔丝器件结构，包括：半导体衬底；在所述半导体衬底上形成的绝缘氧化层；在所述绝缘氧化层上形成的电可编程熔丝结构的阴极、阳极和连接所述阴极和所述阳极的熔丝，以及用于实现具有均匀且狭窄的熔丝的电可编程电熔丝器件结构的位于所述熔丝两侧的虚拟多晶硅层。
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