[发明专利]电力半导体装置

摘要

本发明提供破坏耐受量较高的电力半导体装置。电力半导体装置具备第一导电型的第一半导体层、第二导电型的第二半导体层、一对导电体、第二导电型的第三半导体层、第一导电型的第四半导体层、第一电极和第二电极。第一半导体层具有第一表面和第二表面，具有第一区域。第二半导体层在第一区域设在第一半导体层的第一表面。一对导电体设在一对第一沟槽内。第三半导体层在一对导电体之间设在第二半导体层的与第一半导体层相反侧的表面，具有第二导电型的杂质的浓度。第四半导体层在第一区域设在第一半导体层的第二表面上，且与其电连接，具有第一导电型的杂质的浓度。第一电极隔着层间绝缘膜设在一对导电体上。第二电极与第四半导体层电连接。

主权项

一种电力半导体装置，其中，具备：第一导电型的第一半导体层，具有第一表面和与上述第一表面相反侧的第二表面，在与上述第一表面平行的面内具有第一区域；第二导电型的第二半导体层，在上述第一区域中，在上述第一表面侧设在上述第一半导体层上；一对导电体，设在夹着上述第二半导体层从上述第二半导体层的与上述第一半导体层相反侧的表面到达上述第一半导体层的一对第一沟槽内，隔着绝缘膜与上述第一半导体层及上述第二半导体层相邻；第二导电型的第三半导体层，在上述一对导电体之间选择性地设在上述第二半导体层的与上述第一半导体层相反侧的上述表面，具有比上述第二半导体层高的第二导电型的杂质的浓度；第一导电型的第四半导体层，在上述第一区域中设在上述第一半导体层的上述第二表面上，与上述第一半导体层的上述第二表面电连接，具有比上述第一半导体层高的第一导电型的杂质的浓度；第一电极，设在上述一对导电体上，与上述第二半导体层的与上述第一半导体层相反侧的上述表面及上述第三半导体层的与上述第一半导体层相反侧的表面电接合，与上述一对导电体电连接；以及第二电极，与上述第四半导体层电连接。