[发明专利]低温多晶硅晶体管的制作方法无效
| 申请号： | 201310059776.6 | 申请日： | 2013-02-26 |
| 公开（公告）号： | CN103137497A | 公开（公告）日： | 2013-06-05 |
| 发明（设计）人： | 徐源竣 | 申请（专利权）人： | 深圳市华星光电技术有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/336 | 分类号： | H01L21/336;H01L21/28 |
| 代理公司： | 深圳市德力知识产权代理事务所 44265 | 代理人： | 林才桂 |
| 地址： | 518000 广东*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本发明提供一种低温多晶硅晶体管的制作方法，包括以下步骤：步骤1、在基板上形成低温多晶硅层，并图案化该低温多晶硅层；步骤2、在低温多晶硅层上形成第一绝缘层；步骤3、在第一绝缘层上依次形成第一、第二与第三金属层，并通过光罩制程形成栅极；步骤4、活化该低温多晶硅层，其活化温度介于20℃-370℃之间。本发明的低温多晶硅晶体管的制作方法，其通过小于370℃的温度对低温多晶硅层进行活化，使得栅极可为钼/铝/钼或钛/铝/钛的叠层结构，有效降低栅极的电阻阻值，进而极大地提高晶体管的响应速率，且，利于平面显示器的解析度的提高与平面显示器的尺寸的扩大。 | ||
| 搜索关键词： | 低温 多晶 晶体管 制作方法 | ||
【主权项】：
一种低温多晶硅晶体管的制作方法，其特征在于，包括以下步骤：步骤1、在基板上形成低温多晶硅层，并图案化该低温多晶硅层；步骤2、在低温多晶硅层上形成第一绝缘层；步骤3、在第一绝缘层上依次形成第一、第二与第三金属层，并通过光罩制程形成栅极；步骤4、活化该低温多晶硅层，其活化温度介于20℃‑370℃之间。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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