[发明专利]低温多晶硅晶体管的制作方法无效
| 申请号： | 201310059776.6 | 申请日： | 2013-02-26 |
| 公开（公告）号： | CN103137497A | 公开（公告）日： | 2013-06-05 |
| 发明（设计）人： | 徐源竣 | 申请（专利权）人： | 深圳市华星光电技术有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/336 | 分类号： | H01L21/336;H01L21/28 |
| 代理公司： | 深圳市德力知识产权代理事务所 44265 | 代理人： | 林才桂 |
| 地址： | 518000 广东*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 低温 多晶 晶体管 制作方法 | ||
1.一种低温多晶硅晶体管的制作方法，其特征在于，包括以下步骤：
步骤1、在基板上形成低温多晶硅层，并图案化该低温多晶硅层；
步骤2、在低温多晶硅层上形成第一绝缘层；
步骤3、在第一绝缘层上依次形成第一、第二与第三金属层，并通过光罩制程形成栅极；
步骤4、活化该低温多晶硅层，其活化温度介于20℃-370℃之间。
2.如权利要求1所述的低温多晶硅晶体管的制作方法，其特征在于，所述所述第二金属层为铝层，第一与第三金属层为钼层或钛层。
3.如权利要求2所述的低温多晶硅晶体管的制作方法，其特征在于，所述步骤4中，该低温多晶硅层的活化时间为1-2小时。
4.如权利要求2所述的低温多晶硅晶体管的制作方法，其特征在于，所述步骤4中，在室温下，通过准分子激光晶化工艺对低温多晶硅层进行活化。
5.如权利要求1所述的低温多晶硅晶体管的制作方法，其特征在于，所述基板为玻璃基板或塑胶基板。
6.如权利要求1所述的低温多晶硅晶体管的制作方法，其特征在于，所述步骤1中，先在基板上依次形成第二与第三绝缘层，再在第三绝缘层上形成低温多晶硅层。
7.如权利要求6所述的低温多晶硅晶体管的制作方法，其特征在于，所述第二绝缘层为氮化硅层，所述第三绝缘层为氧化硅层。
8.如权利要求1所述的低温多晶硅晶体管的制作方法，其特征在于，所述栅极上还依次形成有第四与第五绝缘层，该第五绝缘层上还形成有源/漏极。
9.如权利要求8所述的低温多晶硅晶体管的制作方法，其特征在于，所述第四绝缘层为氧化硅层，所述第五绝缘层为氮化硅层。
10.如权利要求1所述的低温多晶硅晶体管的制作方法，其特征在于，所述步骤1中，低温多晶硅层图案化后，还对其进行掺杂工艺。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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