[发明专利]用于多频率RF 脉冲的频率增强阻抗依赖的功率控制

摘要

一种用于在使用多个RF功率供应器的等离子体处理室中处理衬底的方法。所述方法包括在第一脉冲频率对第一RF功率供应器施以脉冲以在高功率状态和低功率状态之间传递第一RF信号。所述方法进一步包括响应于可测量室参数的值在第一预定义RF频率和第二RF频率之间转换由第二RF功率供应器输出的第二RF信号的RF频率。第一RF频率和第二RF频率以及用于转换的阈值在学习阶段预先习得，同时第一RF信号在低于第一RF频率的第二RF频率在高功率状态和低功率状态之间脉冲且同时第二RF功率供应器以不同的模式运行。

主权项

一种用于在具有至少一个等离子体处理室的等离子体处理系统中处理衬底的方法，所述等离子体处理室采用多个RF功率供应器以在所述处理过程中在所述等离子体处理室内维持等离子体，所述方法包括：对所述多个RF功率供应器中的第一RF功率供应器施以脉冲以在高功率状态和低功率状态之间传递第一RF信号，其中所述施以脉冲在第一脉冲频率被实施；以固定频率模式运行所述多个RF功率供应器中的第二RF功率供应器从而所述第二RF功率供应器不被允许自调谐由所述第二RF功率供应器输出的第二RF信号的频率且从而所述第二RF信号以至少两个固定的交替RF频率值运行：第一RF频率值和第二RF频率值，其中在学习阶段，当所述第二RF功率供应器运行在频率自调谐模式从而响应于在低于所述第一脉冲频率的第二脉冲频率在所述高功率状态和所述低功率状态之间脉冲的所述第一RF信号自调谐所述第二RF信号的RF频率时，所述第一RF频率值和所述第二RF频率值被较早习得。