[发明专利]用于多频率RF 脉冲的频率增强阻抗依赖的功率控制

权利要求书

1.一种用于在具有至少一个等离子体处理室的等离子体处理系统中处理衬底的方法，所述等离子体处理室采用多个RF功率供应器以在所述处理过程中在所述等离子体处理室内维持等离子体，所述方法包括：

对所述多个RF功率供应器中的第一RF功率供应器施以脉冲以在高功率状态和低功率状态之间传递第一RF信号，其中所述施以脉冲在第一脉冲频率被实施；

以固定频率模式运行所述多个RF功率供应器中的第二RF功率供应器从而所述第二RF功率供应器不被允许自调谐由所述第二RF功率供应器输出的第二RF信号的频率且从而所述第二RF信号以至少两个固定的交替RF频率值运行：第一RF频率值和第二RF频率值，其中在学习阶段，当所述第二RF功率供应器运行在频率自调谐模式从而响应于在低于所述第一脉冲频率的第二脉冲频率在所述高功率状态和所述低功率状态之间脉冲的所述第一RF信号自调谐所述第二RF信号的RF频率时，所述第一RF频率值和所述第二RF频率值被较早习得。

2.权利要求1所述的方法，其进一步包括：

以固定频率模式运行所述多个RF功率供应器中的第三RF功率供应器从而所述第三RF功率供应器不被允许自调谐由所述第三RF功率供应器输出的第三RF信号的频率且从而所述第三RF信号以至少两个固定的交替RF频率值运行：第三RF频率值和第四RF频率值，其中在所述学习阶段，当所述第三RF功率供应器运行在频率自调谐模式从而响应于在低于所述第一脉冲频率的脉冲频率在所述高功率状态和所述低功率状态之间脉冲的所述第一RF信号自调谐所述第三RF信号的RF频率时，所述第三RF频率值和所述第四RF频率值被较早习得。

3.如权利要求1所述的方法，其中所述第一RF功率供应器表现为独立地施以脉冲的RF功率供应器且所述第二RF功率供应器响应于来自所述等离子体处理室的可测量室参数的值在至少所述第一RF频率值和所述第二RF频率值之间改变所述第二RF信号的RF频率。

4.如权利要求3所述的方法，其中所述可测量室参数表示为伽玛。

5.如权利要求3所述的方法，其进一步包括比较所述可测量室参数的所述值和预定义阈值。

6.如权利要求5所述的方法，其中在所述学习阶段，当所述第一RF功率供应器在所述高功率状态和所述低功率状态之间在低于所述第一脉冲频率的所述第二脉冲频率施以脉冲时，所述预定义阈值被获得。

7.如权利要求6所述的方法，其中所述预定义阈值包括至少第一预定义阈值和第二预定义阈值，在所述学习阶段，当所述第二RF功率供应器运行在所述固定频率模式而所述第二RF信号以所述第一RF频率值运行且所述第一RF信号从所述高功率状态转变到所述低功率状态时，所述第一预定义阈值被获得，在所述学习阶段，当所述第二RF功率供应器运行在所述固定频率模式而所述第二RF信号以所述第二RF频率值运行且所述第一RF信号从所述低功率状态转变到所述高功率状态时，所述第二预定义阈值被获得。

8.如权利要求7所述的方法，其中所述第一预定义阈值代表所述可测量室参数的第一值和第一阈值调节常数的总和，在所述学习阶段，当所述第二RF功率供应器运行在所述固定频率模式而所述第二RF信号以所述第一RF频率值运行且所述第一RF信号从所述高功率状态转变到所述低功率状态时，所述可测量室参数的所述第一值被获得。

9.如权利要求7所述的方法，其中所述第二预定义阈值代表所述可测量室参数的第二值和第二阈值调节常数的总和，在所述学习阶段，当所述第二RF功率供应器运行在所述固定频率模式而所述第二RF信号以所述第二RF频率值运行且所述第一RF信号从所述低功率状态转变到所述高功率状态时，所述可测量室参数的所述第二值被获得。

10.如权利要求1所述的方法，其中所述低功率状态不是0瓦特。