[发明专利]半导体制造设备有效
申请号: | 201310052623.9 | 申请日: | 2013-02-18 |
公开(公告)号: | CN103255393B | 公开(公告)日: | 2017-05-31 |
发明(设计)人: | 成基范;李朝永;金湾中;安昌根;金廷炫 | 申请(专利权)人: | LG伊诺特有限公司 |
主分类号: | C23C16/458 | 分类号: | C23C16/458 |
代理公司: | 中原信达知识产权代理有限责任公司11219 | 代理人: | 达小丽,夏凯 |
地址: | 韩国*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | 公开了一种半导体制造设备,包括至少一个贮器,在其上安装有将要在其上进行沉积的无源对象;以及载体主体,其具有插入空间,至少一个贮器可拆卸地附着到该插入空间。因此,该半导体制造设备缩短了处理时间并且降低了处理费用。半导体制造设备允许各个贮器根据晶片载体上的贮器的位置而具有不同的结构,并且因此在不考虑贮器的位置的情况下在晶片的表面上实现材料的均匀生长。 | ||
搜索关键词: | 半导体 制造 设备 | ||
【主权项】:
一种半导体制造设备,包括:至少一个贮器,在所述至少一个贮器上安装有将要在其上进行沉积的无源对象;以及载体主体,其具有插入空间,所述至少一个贮器可拆卸地附着到所述插入空间,其中,所述至少一个贮器包括:前支撑部,所述前支撑部被形成在所述至少一个贮器的前表面上并且支撑所述无源对象;以及后耦合部,所述后耦合部被形成在所述至少一个贮器的后表面上并且与所述载体主体耦合,其中所述载体主体和所述后耦合部具有彼此对应的形状,以便彼此耦合,其中,所述前支撑部包括:第一内侧表面,所述第一内侧表面在所述至少一个贮器插入到所述载体主体中的第一方向上延伸;第一内底表面,所述第一内底表面在与所述第一方向不同的第二方向上从所述第一内侧表面延伸,所述无源对象的边缘放置在所述第一内底表面上;以及第二内侧表面,所述第二内侧表面在所述第一方向上从所述第一内底表面延伸,以及其中,以不具有底的孔形状来形成所述至少一个贮器,以及由所述第二内侧表面来围绕所述孔。
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C23 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面化学处理;金属材料的扩散处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆;金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆,例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上,例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆,例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的
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