[发明专利]半导体制造设备有效

专利信息
申请号: 201310052623.9 申请日: 2013-02-18
公开(公告)号: CN103255393B 公开(公告)日: 2017-05-31
发明(设计)人: 成基范;李朝永;金湾中;安昌根;金廷炫 申请(专利权)人: LG伊诺特有限公司
主分类号: C23C16/458 分类号: C23C16/458
代理公司: 中原信达知识产权代理有限责任公司11219 代理人: 达小丽,夏凯
地址: 韩国*** 国省代码: 暂无信息
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摘要: 公开了一种半导体制造设备,包括至少一个贮器,在其上安装有将要在其上进行沉积的无源对象;以及载体主体,其具有插入空间,至少一个贮器可拆卸地附着到该插入空间。因此,该半导体制造设备缩短了处理时间并且降低了处理费用。半导体制造设备允许各个贮器根据晶片载体上的贮器的位置而具有不同的结构,并且因此在不考虑贮器的位置的情况下在晶片的表面上实现材料的均匀生长。
搜索关键词: 半导体 制造 设备
【主权项】:
一种半导体制造设备,包括:至少一个贮器,在所述至少一个贮器上安装有将要在其上进行沉积的无源对象;以及载体主体,其具有插入空间,所述至少一个贮器可拆卸地附着到所述插入空间,其中,所述至少一个贮器包括:前支撑部,所述前支撑部被形成在所述至少一个贮器的前表面上并且支撑所述无源对象;以及后耦合部,所述后耦合部被形成在所述至少一个贮器的后表面上并且与所述载体主体耦合,其中所述载体主体和所述后耦合部具有彼此对应的形状,以便彼此耦合,其中,所述前支撑部包括:第一内侧表面,所述第一内侧表面在所述至少一个贮器插入到所述载体主体中的第一方向上延伸;第一内底表面,所述第一内底表面在与所述第一方向不同的第二方向上从所述第一内侧表面延伸,所述无源对象的边缘放置在所述第一内底表面上;以及第二内侧表面,所述第二内侧表面在所述第一方向上从所述第一内底表面延伸,以及其中,以不具有底的孔形状来形成所述至少一个贮器,以及由所述第二内侧表面来围绕所述孔。
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