[发明专利]半导体器件的金属栅电极有效
| 申请号： | 201310052078.3 | 申请日： | 2013-02-17 |
| 公开（公告）号： | CN103456775B | 公开（公告）日： | 2017-05-03 |
| 发明（设计）人： | 林志忠;林志翰;黄仁安;张铭庆;陈昭成 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/423 | 分类号： | H01L29/423;H01L29/78;H01L21/28;H01L21/336 |
| 代理公司： | 北京德恒律治知识产权代理有限公司11409 | 代理人： | 章社杲,孙征 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明涉及集成电路制造，更具体地涉及半导体器件的金属栅电极。用于半导体器件的示例性结构包括衬底，包括主表面；第一矩形栅电极，位于主表面上并包括第一多层材料层；第一介电材料，与第一矩形栅电极的一侧相邻；以及第二介电材料，与第一矩形栅电极的另外三侧相邻，第一介电材料和第二介电材料共同围绕第一矩形栅电极。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 金属 电极 | ||
【主权项】：
一种半导体器件，包括：衬底，包括主表面；第一矩形栅电极，位于所述主表面上并包括多层材料的第一层，所述第一矩形栅电极在俯视图中具有四个侧面；第一介电材料，与所述第一矩形栅电极的所述四个侧面中的一侧相邻；第二介电材料，与所述第一矩形栅电极的所述四个侧面中的另外三侧相邻，其中，所述第一介电材料和所述第二介电材料共同围绕所述第一矩形栅电极；以及第二矩形栅电极，位于所述主表面上并包括多层材料的第二层，其中，在俯视图中所述第一介电材料与所述第二矩形栅电极的一侧相邻，并且在俯视图中所述第二介电材料与所述第二矩形栅电极的另外三侧相邻，所述第一介电材料和所述第二介电材料共同围绕所述第二矩形栅电极。
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