[发明专利]半导体器件及其制造方法

摘要

公开了一种半导体器件及其制造方法，该半导体器件包括半导体衬底；半导体衬底中的阱区；阱区中的接触区；位于阱区上的夹层结构，该夹层结构包括背栅金属、位于背栅金属两侧的半导体鳍片、以及将背栅金属与半导体鳍片分别隔开的各自的背栅电介质，其中接触区和阱区作为背栅金属的导电路径的一部分，并且背栅金属经由接触区与阱区相连；与半导体鳍片相交的前栅堆叠，该前栅堆叠包括前栅电介质和前栅导体，并且前栅电介质将前栅导体和半导体鳍片隔开；位于背栅金属上方以及半导体鳍片上方的绝缘帽盖，并且绝缘帽盖将背栅金属与前栅导体隔开；以及与半导体鳍片提供的沟道区相连的源区和漏区。该半导体器件可以实现高集成度和低功耗。

主权项

一种制造半导体器件的方法，包括：在半导体衬底中形成阱区，使得半导体衬底位于阱区上方的部分形成半导体层；在半导体层上形成多个掩模层；在所述多个掩模层中的最顶部的一个中形成开口；在开口内壁形成侧墙形式的另一个掩模层；采用所述另一个掩模层作为硬掩模，将开口穿过所述多个掩模层和所述半导体层延伸到阱区；经由开口在阱区中形成接触区；在开口内壁形成背栅电介质；在开口中形成背栅金属；在开口中形成绝缘帽盖，该绝缘帽盖包括所述另一个掩模层并且覆盖背栅电介质和背栅金属；采用绝缘帽盖作为硬掩模，将半导体层图案化为半导体鳍片；形成与半导体鳍片相交的前栅堆叠，该前栅堆叠包括前栅电介质和前栅导体，并且前栅电介质将前栅导体和半导体鳍片隔开；以及形成与半导体鳍片提供的沟道区相连的源区和漏区。