[发明专利]使用多有源沟道层的薄膜晶体管

摘要

本文揭示的实施例大致上关于TFT以及制造TFT的方法。在TFT中，有源沟道层携送电流于源极电极与漏极电极之间。通过调适有源沟道的组成，可以控制电流。有源沟道可以包含三层，即栅极控制层、体层及界面控制层。所述个别的层可以具有不同的组成。此外，栅极控制层、体层及界面控制层的各者可以包含多个层，所述多个层具有不同组成。有源沟道的各层的组成包含氧、氮以及选自由锌、铟、镉、锡、镓及上述元素的组合所组成群组的一或多个元素。通过改变所述层之间的组成，可以控制各层的迁移率、载流子浓度及导电率，以制造具有所希望性质的TFT。

主权项

一种薄膜晶体管的制造方法，包含下列步骤：沉积栅极介电层于栅极电极与基板上方；形成有源沟道于所述栅极介电层上方，所述形成的步骤包含：沉积一或多个栅极控制层，所述一或多个栅极控制层包含氧以及选自由锌、铟、锡、镉与镓所组成的组的一或多个元素且具有第一组成，所述一或多个栅极控制层中的至少一者与所述栅极介电层接触；沉积一或多个体层，所述一或多个体层与所述一或多个栅极控制层中的至少一者接触，所述一或多个体层包含氧以及选自由锌、铟、锡、镉与镓所组成的组的一或多个元素且具有第二组成，所述第二组成不同于所述第一组成；以及沉积一或多个背沟道界面控制层，所述一或多个背沟道界面控制层与所述一或多个体层中的至少一者接触，所述一或多个背沟道界面控制层包含氧以及选自由锌、铟、锡、镉与镓所组成的组的一或多个元素且具有第三组成，所述第三组成不同于所述第一组成与所述第二组成中的一者或多者；沉积导电层于所述一或多个背沟道界面控制层的最上层上；以及图案化所述导电层，以界定源极电极与漏极电极且暴露所述一或多个背沟道界面控制层的最上层。