[发明专利]使用多有源沟道层的薄膜晶体管

权利要求书

1.一种薄膜晶体管的制造方法，包含下列步骤：

沉积栅极介电层于栅极电极与基板上方；

形成有源沟道于所述栅极介电层上方，所述形成的步骤包含：

沉积一或多个栅极控制层，所述一或多个栅极控制层包含氧以及选自由锌、铟、锡、镉与镓所组成的组的一或多个元素且具有第一组成，所述一或多个栅极控制层中的至少一者与所述栅极介电层接触；

沉积一或多个体层，所述一或多个体层与所述一或多个栅极控制层中的至少一者接触，所述一或多个体层包含氧以及选自由锌、铟、锡、镉与镓所组成的组的一或多个元素且具有第二组成，所述第二组成不同于所述第一组成；以及

沉积一或多个背沟道界面控制层，所述一或多个背沟道界面控制层与所述一或多个体层中的至少一者接触，所述一或多个背沟道界面控制层包含氧以及选自由锌、铟、锡、镉与镓所组成的组的一或多个元素且具有第三组成，所述第三组成不同于所述第一组成与所述第二组成中的一者或多者；

沉积导电层于所述一或多个背沟道界面控制层的最上层上；以及

图案化所述导电层，以界定源极电极与漏极电极且暴露所述一或多个背沟道界面控制层的最上层。

2.如权利要求1所述的方法，其中所述一或多个栅极控制层整体地具有第一厚度，所述一或多个体层整体地具有第二厚度，且所述一或多个背沟道界面控制层整体地具有第三厚度，并且其中所述第二厚度大于所述第三厚度，且所述第三厚度大于所述第一厚度。

3.如权利要求2所述的方法，其中所述一或多个栅极控制层具有第一迁移率，所述一或多个体层具有第二迁移率，且所述一或多个背沟道界面控制层具有第三迁移率，并且其中所述第一迁移率、所述第二迁移率与所述第三迁移率是不同的。

4.如权利要求3所述的方法，其中所述一或多个栅极控制层具有第一导电率，所述一或多个体层具有第二导电率，且所述一或多个背沟道界面控制层具有第三导电率，以及其中所述第一导电率、所述第二导电率与所述第三导电率是不同的。

5.如权利要求1所述的方法，其中所述一或多个栅极控制层包含数个层。

6.如权利要求5所述的方法，其中所述一或多个背沟道界面控制层包含数个层。

7.如权利要求1所述的方法，其中所述沉积一或多个栅极控制层的步骤包含：将氩与含氧气体导入溅射腔室内，以及溅射含锌靶材。

8.如权利要求7所述的方法，其中所述含氧气体包含一氧化二氮。

9.如权利要求8所述的方法，其中所述一或多个栅极控制层包含数个层，并且其中所述栅极控制层中的至少两层的组成不同。

10.如权利要求1所述的方法，其中所述沉积一或多个体层的步骤包含：将氩与含氧气体导入溅射腔室内，以及溅射含锌靶材。

11.如权利要求10所述的方法，其中所述含氧气体包含一氧化二氮。

12.如权利要求11所述的方法，其中所述一或多个体层包含数个层，并且其中所述体层中的至少两层的组成不同。

13.如权利要求1所述的方法，其中所述沉积一或多个背沟道界面控制层的步骤包含：将氩与含氧气体导入溅射腔室内，以及溅射含锌靶材。

14.如权利要求13所述的方法，其中所述含氧气体包含一氧化二氮。

15.如权利要求14所述的方法，其中所述一或多个背沟道界面控制层包含数个层，并且其中所述背沟道界面控制层中的至少两层的组成不同。