[发明专利]一种用于阵列基板的测试结构及其制造方法有效
申请号: | 201310047567.X | 申请日: | 2013-02-06 |
公开(公告)号: | CN103926761B | 公开(公告)日: | 2018-07-10 |
发明(设计)人: | 梁艳峰 | 申请(专利权)人: | 上海中航光电子有限公司;天马微电子股份有限公司 |
主分类号: | G02F1/1362 | 分类号: | G02F1/1362;G02F1/1368;G02F1/13;H01L23/544 |
代理公司: | 北京品源专利代理有限公司 11332 | 代理人: | 孟金喆 |
地址: | 201108 *** | 国省代码: | 上海;31 |
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摘要: | 本发明公开了一种测试结构及其制造方法,该测试结构包括薄膜晶体管,设置在所述阵列基板的外围区域中;在所述阵列基板的显示区域中设置有数据线,所述薄膜晶体管的源极或漏极与所述显示区域中的数据线电连接;栅极测试线,作为所述薄膜晶体管的栅极,且包括多个彼此分离的栅极测试线段;所述栅极测试线段通过导通线电连接在一起。该测试结构能够消除栅极测试线中的静电积累,防止栅极测试线与数据线之间的静电击伤,并且不增加工艺的复杂性。 | ||
搜索关键词: | 测试结构 薄膜晶体管 阵列基板 测试线 线段 显示区域 数据线 数据线电连接 测试 彼此分离 静电击伤 静电积累 外围区域 导通 漏极 线电 源极 制造 | ||
【主权项】:
1.一种用于阵列基板的测试结构,其特征在于,包括薄膜晶体管,设置在所述阵列基板的外围区域中;在所述阵列基板的显示区域中设置有数据线,所述薄膜晶体管的源极或漏极与所述显示区域中的数据线电连接;栅极测试线,作为所述薄膜晶体管的栅极,且包括多个彼此分离的栅极测试线段,所述栅极测试线段上形成栅绝缘膜,所述栅极绝缘膜上形成薄膜晶体管的沟道层,所述薄膜晶体管的源极和漏极覆盖部分沟道层;所述栅极测试线段通过导通线电连接在一起;在所述栅极测试线的一侧还包括延伸出所述栅极测试线段的接触栅极测试线,所述接触栅极测试线通过所述导通线使栅极测试线段实现电连接。
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