[发明专利]一种用于阵列基板的测试结构及其制造方法有效

专利信息
申请号: 201310047567.X 申请日: 2013-02-06
公开(公告)号: CN103926761B 公开(公告)日: 2018-07-10
发明(设计)人: 梁艳峰 申请(专利权)人: 上海中航光电子有限公司;天马微电子股份有限公司
主分类号: G02F1/1362 分类号: G02F1/1362;G02F1/1368;G02F1/13;H01L23/544
代理公司: 北京品源专利代理有限公司 11332 代理人: 孟金喆
地址: 201108 *** 国省代码: 上海;31
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要: 发明公开了一种测试结构及其制造方法,该测试结构包括薄膜晶体管,设置在所述阵列基板的外围区域中;在所述阵列基板的显示区域中设置有数据线,所述薄膜晶体管的源极或漏极与所述显示区域中的数据线电连接;栅极测试线,作为所述薄膜晶体管的栅极,且包括多个彼此分离的栅极测试线段;所述栅极测试线段通过导通线电连接在一起。该测试结构能够消除栅极测试线中的静电积累,防止栅极测试线与数据线之间的静电击伤,并且不增加工艺的复杂性。
搜索关键词: 测试结构 薄膜晶体管 阵列基板 测试线 线段 显示区域 数据线 数据线电连接 测试 彼此分离 静电击伤 静电积累 外围区域 导通 漏极 线电 源极 制造
【主权项】:
1.一种用于阵列基板的测试结构,其特征在于,包括薄膜晶体管,设置在所述阵列基板的外围区域中;在所述阵列基板的显示区域中设置有数据线,所述薄膜晶体管的源极或漏极与所述显示区域中的数据线电连接;栅极测试线,作为所述薄膜晶体管的栅极,且包括多个彼此分离的栅极测试线段,所述栅极测试线段上形成栅绝缘膜,所述栅极绝缘膜上形成薄膜晶体管的沟道层,所述薄膜晶体管的源极和漏极覆盖部分沟道层;所述栅极测试线段通过导通线电连接在一起;在所述栅极测试线的一侧还包括延伸出所述栅极测试线段的接触栅极测试线,所述接触栅极测试线通过所述导通线使栅极测试线段实现电连接。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于上海中航光电子有限公司;天马微电子股份有限公司,未经上海中航光电子有限公司;天马微电子股份有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/201310047567.X/,转载请声明来源钻瓜专利网。

×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top