[发明专利]一种用于阵列基板的测试结构及其制造方法

权利要求书

1.一种用于阵列基板的测试结构，其特征在于，包括薄膜晶体管，设置在所述阵列基板的外围区域中；在所述阵列基板的显示区域中设置有数据线，所述薄膜晶体管的源极或漏极与所述显示区域中的数据线电连接；栅极测试线，作为所述薄膜晶体管的栅极，且包括多个彼此分离的栅极测试线段，所述栅极测试线段上形成栅绝缘膜，所述栅极绝缘膜上形成薄膜晶体管的沟道层，所述薄膜晶体管的源极和漏极覆盖部分沟道层；所述栅极测试线段通过导通线电连接在一起；在所述栅极测试线的一侧还包括延伸出所述栅极测试线段的接触栅极测试线，所述接触栅极测试线通过所述导通线使栅极测试线段实现电连接。

2.根据权利要求1所述的测试结构，其特征在于，所述导通线至少为两条，且彼此分离设置于相邻的所述栅极测试线段之间。

3.根据权利要求1所述的测试结构，其特征在于，所述导通线为一条连接所有所述栅极测试线段的导线。

4.根据权利要求1所述的测试结构，其特征在于，测试时，所述栅极测试线控制所述薄膜晶体管的开关导通，从所述薄膜晶体管的源极输入测试信号，该测试信号从所述薄膜晶体管的漏极输送到所述数据线，从而在显示区域中可以显示测试画面；或者从所述薄膜晶体管的漏极输入测试信号，该测试信号从所述薄膜晶体管的源极输送到所述数据线。

5.根据权利要求1所述的测试结构，其特征在于，在所述显示区域中还设置有多条扫描线，所述扫描线和所述数据线彼此交叉限定出像素区，在所述像素区中具有像素电极，所述导通线与所述像素电极采用同层材料制作。

6.根据权利要求1所述的测试结构，其特征在于，在每个栅极测试线段中可以设置1-5个薄膜晶体管。

7.一种阵列基板测试结构的制造方法，其特征在于，包括以下步骤：

提供一阵列基板；该阵列基板包括显示区域和外围区域；

所述外围区域中形成彼此分离的栅极测试线段；

在所述栅极测试线段上形成栅绝缘膜；

在所述栅极绝缘膜上形成薄膜晶体管的沟道层；

形成所述薄膜晶体管的源漏极和数据线，其中，所述薄膜晶体管的源极或漏极与所述数据线电连接；

在所述栅极测试线段上形成导通线，所述栅极测试线段通过所述导通线电连接在一起；

其中，在所述栅极测试线的一侧形成伸出所述栅极测试线段的接触栅极测试线，所述接触栅极测试线通过所述导通线使栅极测试线段实现电连接。

8.根据权利要求7所述的测试结构的制造方法，其特征在于，所述导通线至少为两条，且彼此分离形成于相邻的所述栅极测试线段之间。

9.根据权利要求7所述的测试结构的制造方法，其特征在于，所述导通线为一条连接所有所述栅极测试线段的导线。

10.根据权利要求7所述的测试结构的制造方法，其特征在于，在所述栅极绝缘膜上形成薄膜晶体管的沟道层的步骤之后，还包括：在所述源漏极和栅极测试线上形成保护层。

11.根据权利要求10所述的测试结构的制造方法，其特征在于，在所述栅极测试线段上形成导通线，所述薄膜晶体管的源极或漏极与所述数据线电连接步骤包括：在覆盖接触栅极测试线的栅绝缘膜和保护层上形成接触孔，所述导通线通过接触孔将栅极测试线段电连接在一起。

12.根据权利要求7所述的测试结构的制造方法，其特征在于，在所述显示区域中还形成多条扫描线，所述数据线与所述扫描线交叉限定出像素区域，在所述像素区域中形成像素电极。

13.根据权利要求7所述的测试结构的制造方法，其特征在于，所述导通线与像素电极采用同层材料制作。