[发明专利]半导体互连结构及其制作方法

摘要

本发明提供一种半导体互连结构及其制作方法，所述半导体互连结构至少包括衬底、位于衬底上的电介质膜、位于所述电介质膜上的第一层间介质、嵌入所述电介质膜和第一层间介质中的至少一个导电层、环绕所述导电层四周及底部的扩散阻挡层、覆盖所述导电层和扩散阻挡层的金属帽层及覆盖所述金属帽层和第一层间介质的电介质帽层；所述电介质帽层部分嵌入所述第一层间介质并包围所述金属帽层侧面。本发明的半导体互连结构及其制作方法将电介质帽层部分嵌入第一层间介质并包围所述金属帽层侧面，提高了导电层与电介质帽层之间的粘附性能，改善了互连结构中的抗电迁移特性，有效提高了器件可靠性。

主权项

一种半导体互连结构的制作方法，其特征在于，所述半导体互连结构的制作方法至少包括以下步骤：1)提供一衬底，在所述衬底上自下而上依次形成电介质膜和第一层间介质；2)在所述第一层间介质及其下方的电介质膜处形成若干凹槽；3)在所述凹槽中依次沉积扩散阻挡层和导电层，并进行平坦化； 4)进行回刻，去除所述凹槽顶部的所述扩散阻挡层和导电层的一部分；5)去除所述凹槽顶部周围的部分第一层间介质；6)在所述扩散阻挡层和导电层上选择性沉积金属帽层；7)在所述金属帽层及所述第一层间介质上沉积电介质帽层，所述电介质帽层部分嵌入所述第一层间介质并包围所述金属帽层侧面。