[发明专利]半导体存储器件有效
| 申请号： | 201310041507.7 | 申请日： | 2013-02-01 |
| 公开（公告）号： | CN103578539B | 公开（公告）日： | 2018-01-19 |
| 发明（设计）人： | 崔相武 | 申请（专利权）人： | 爱思开海力士有限公司 |
| 主分类号： | G11C16/06 | 分类号： | G11C16/06;G11C16/30;G11C16/34 |
| 代理公司： | 北京弘权知识产权代理事务所(普通合伙)11363 | 代理人： | 俞波,周晓雨 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种半导体存储器件，包括存储串，每个存储串包括漏极选择晶体管、存储器单元以及源极选择晶体管；第一位线，与存储串之中的第一组存储串的漏极选择晶体管耦接；第二位线，与存储串之中的第二组存储串的漏极选择晶体管耦接；源极线，与存储串的源极选择晶体管耦接；以及外围电路，所述外围电路被配置成将与供应了预充电电压的源极线耦接的未选中的存储串的源极选择晶体管导通，或者将与供应了编程禁止电压的位线耦接的未选中的存储串的漏极选择晶体管导通，以在将编程电压供应到存储串之中的选中的存储串所包括的存储器单元之前，对未选中的存储串的沟道区预充电。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 存储 器件 | ||
【主权项】：
一种半导体存储器件，包括：存储串，每个存储串包括垂直地设置在衬底之上的漏极选择晶体管、存储器单元以及源极选择晶体管；第一位线，所述第一位线与所述存储串之中的第一组存储串的漏极选择晶体管耦接；第二位线，所述第二位线与所述存储串之中的第二组存储串的漏极选择晶体管耦接；源极线，所述源极线与所述存储串的源极选择晶体管耦接；以及外围电路，所述外围电路被配置成：将与供应了预充电电压的源极线耦接的未选中的存储串的源极选择晶体管导通，或者将与供应了编程禁止电压的位线耦接的未选中的存储串的漏极选择晶体管导通，以在将编程电压供应到所述存储串之中的选中的存储串所包括的存储器单元之前，对所述未选中的存储串的沟道区预充电，其中，所述存储串还包括形成在所述衬底之上的管道晶体管，以及其中，当对所述选中的存储串所包括的存储器单元编程时，所述外围电路导通所述管道晶体管。
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