[发明专利]用于高速HEMT器件的InAs外延材料及其制备方法有效
| 申请号： | 201310030640.2 | 申请日： | 2013-01-27 |
| 公开（公告）号： | CN103107190A | 公开（公告）日： | 2013-05-15 |
| 发明（设计）人： | 吕红亮;宁旭斌;张玉明;张义门;崔强生;武利翻 | 申请（专利权）人： | 西安电子科技大学 |
| 主分类号： | H01L29/778 | 分类号： | H01L29/778;H01L29/06;H01L21/205 |
| 代理公司： | 陕西电子工业专利中心 61205 | 代理人： | 王品华;朱红星 |
| 地址： | 710071*** | 国省代码： | 陕西;61 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明公开了一种用于高速HEMT器件的InAs外延材料及其制备方法，主要解决GaAs衬底上生长晶格失配的InAs/AlSb外延材料问题。该InAs材料自下而上依次包括半绝缘的GaAs衬底(1)、GaAs外延层(2)、AlGaSb缓冲层(3)、下层AlSb势垒层(4)、InAs沟道层(5)、上层AlSb势垒层(6)、InAlAs空穴阻挡层(7)和InAs帽层(8)，其中：GaAs衬底(1)的晶向为<100>，偏角为0.5°；下层势垒(4)中添加有delta掺杂层(4a)；上层势垒(6)中添加有delta掺杂层(6a)或InAs插入层(6b)。本发明InAs材料具有104cm-2/V·s的电子迁移率以及1012cm-2的二维电子气面密度，可用于制备高速低功耗HEMT器件。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 高速 hemt 器件 inas 外延 材料 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种用于高速HEMT器件的InAs外延材料，自下而上包括衬底(1)、缓冲层(3)、下层势垒(4)、InAs沟道(5)、上层势垒(6)、InAlAs空穴阻挡层(7)以及InAs帽层(8)，其特征在于：衬底(1)采用GaAs衬底；在GaAs衬底(1)与缓冲层(3)之间增设有外延层(2)；缓冲层(3)采用一层AlGaSb；下层势垒(4)中添加有浓度为0.5×1018~5×1018cm‑3的delta掺杂层(4a)；上层势垒(6)中添加有浓度为0.5×1018~5×1018cm‑3的delta掺杂层(6a)。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于西安电子科技大学，未经西安电子科技大学许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201310030640.2/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
