[发明专利]图案化工艺

摘要

一种图案化工艺。提供具有第一区域及第二区域的待图案化层。于待图案化层上形成掩模层。将掩模层图案化，以于第一区域中形成第一开孔以及于第二区域中形成第二开孔。于第一开孔的侧壁上形成经掺杂的多晶硅间隔体。以经掺杂的多晶硅间隔体及经图案化的掩模层为掩模，移除部分待图案化层，以于第一区域中形成第三开孔以及于第二区域中形成第四开孔。

主权项

一种图案化工艺，包括：提供待图案化层，所述待图案化层具有第一区域及第二区域；于所述待图案化层上顺次形成第一掩模层及第二掩模层；图案化所述第二掩模层，以于所述第一区域中形成第一开孔以及于所述第二区域中形成第二开孔；于所述第一开孔的侧壁及部分底部上形成经掺杂的多晶硅层；在所述第一区域中，以所述经掺杂的多晶硅层及经图案化的第二掩模层为掩模，移除一部分的所述第一掩模层，且在所述第二区域中以所述经图案化的第二掩模层为掩模，移除另一部分的所述第一掩模层，以在所述第一区域与所述第二区域中形成经图案化的第一掩模层；移除所述经掺杂的多晶硅层及所述经图案化的第二掩模层；以及以所述经图案化的第一掩模层为掩模，移除部分所述待图案化层，以于所述第一区域中形成第三开孔以及于所述第二区域中形成第四开孔。