[发明专利]图案化工艺

权利要求书

1.一种图案化工艺，包括：

提供待图案化层，所述待图案化层具有第一区域及第二区域；

于所述待图案化层上顺次形成第一掩模层及第二掩模层；

图案化所述第二掩模层，以于所述第一区域中形成第一开孔以及于所述第二区域中形成第二开孔；

于所述第一开孔的侧壁及部分底部上形成经掺杂的多晶硅层；

以所述经掺杂的多晶硅层及经图案化的第二掩模层为掩模，移除部分所述第一掩模层，以形成经图案化的第一掩模层；

移除所述经掺杂的多晶硅层及所述经图案化的第二掩模层；以及

以所述经图案化的第一掩模层为掩模，移除部分所述待图案化层，以于所述第一区域中形成第三开孔以及于所述第二区域中形成第四开孔。

2.如权利要求1所述的图案化工艺，其中所述第一掩模层包括氮化硅层。

3.如权利要求1所述的图案化工艺，其中所述第二掩模层包括由碳层及氮氧化硅层构成的复合层。

4.如权利要求1所述的图案化工艺，其中形成所述经掺杂的多晶硅层的方法包括：

于所述待图案化层上共形地形成未经掺杂的多晶硅层；

形成覆盖所述第二区域的光阻层；

进行倾斜角注入工艺，以对位于所述第一开孔的侧壁及部分底部上的所述未经掺杂的多晶硅层进行掺杂；

移除所述光阻层；以及

移除所述未经掺杂的多晶硅层。

5.如权利要求4所述的图案化工艺，其中移除所述未经掺杂的多晶硅层的方法包括进行湿式蚀刻工艺。

6.一种图案化工艺，包括：

提供待图案化层，所述待图案化层具有第一区域及第二区域；

于所述待图案化层上形成掩模层；

图案化所述掩模层，以于所述第一区域中形成第一开孔以及于所述第二区域中形成第二开孔；

于所述第一开孔的侧壁上形成经掺杂的多晶硅间隔体；以及

以所述经掺杂的多晶硅间隔体及经图案化的掩模层为掩模，移除部分所述待图案化层，以于所述第一区域中形成第三开孔以及于所述第二区域中形成第四开孔。

7.如权利要求6所述的图案化工艺，其中所述掩模层包括碳层及氮氧化硅层构成的复合层。

8.如权利要求6所述的图案化工艺，其中形成所述经掺杂的多晶硅间隔体的方法包括：

于所述待图案化层上共形地形成未经掺杂的多晶硅层；

形成覆盖所述第二区域的光阻层；

进行注入工艺，以对未被所述光阻层覆盖的所述未经掺杂的多晶硅层进行掺杂，以形成经掺杂的多晶硅层；

移除所述光阻层；

移除所述未经掺杂的多晶硅层；以及

移除位于所述经图案化的掩模层的顶面及位于所述第一开孔的底部上的所述经掺杂的多晶硅层。

9.如权利要求8所述的图案化工艺，其中移除所述未经掺杂的多晶硅层的方法包括进行湿式蚀刻工艺。