[发明专利]电子器件以及用于制造电子器件的方法有效
| 申请号： | 201310018777.6 | 申请日： | 2013-01-18 |
| 公开（公告）号： | CN103219314A | 公开（公告）日： | 2013-07-24 |
| 发明（设计）人： | J.马勒;I.尼基廷 | 申请（专利权）人： | 英飞凌科技股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/495 | 分类号： | H01L23/495;H01L21/48;H01L21/60 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人： | 马永利;卢江 |
| 地址： | 德国瑙伊比*** | 国省代码： | 德国;DE |
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| 摘要： | 本发明公开了电子器件以及用于制造电子器件的方法。一种电子器件包括半导体芯片。接触元件、电连接器和电介质层被布置在导电层的面对半导体芯片的第一表面上。第一导电构件被布置在电介质层的第一凹陷中。第一导电构件将半导体芯片的接触元件与导电层电连接。第二导电构件被布置在电介质层的第二凹陷中。第二导电构件将导电层与电连接器电连接。 | ||
| 搜索关键词： | 电子器件 以及 用于 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种电子器件，包括：半导体芯片，其包括接触元件；与所述半导体芯片间隔开的电连接器；导电层；电介质层，其被布置在所述导电层的面对所述半导体芯片的第一表面上；第一导电构件，其被布置在所述电介质层的第一凹陷中，所述第一导电构件将所述半导体芯片的接触元件与所述导电层电连接；以及第二导电构件，其被布置在所述电介质层的第二凹陷中，所述第二导电构件将所述导电层与所述电连接器电连接。
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