[发明专利]半导体装置及其制造方法与操作方法

摘要

本发明公开了一种半导体装置及其制造方法与操作方法。半导体装置包括衬底、深阱、第一阱、第一掺杂电极区、第二掺杂电极区以及高截止电压通道区。衬底具有第一导电型。深阱位于衬底内，并具有与第一导电型相反的第二导电型。第一阱位于深阱内，并具有第一导电型或第二导电型至少其中之一。第一掺杂电极区具有第一导电型并位于第一阱内。第二掺杂电极区具有第二导电型，位于第一阱内且邻近第一掺杂电极区。高截止电压通道区由衬底的表面向下扩展且覆盖部份的第二掺杂电极区的表面，其覆盖第二掺杂电极区的比例越高，半导体装置的输出电流越大。

主权项

一种半导体装置，包括：一衬底，具有一第一导电型；一深阱，位于该衬底内并具有相反于该第一导电型的一第二导电型；一第一阱，位于该深阱内，并具有该第一导电型或该第二导电型至少其中之一；一第一掺杂电极区，具有该第一导电型并位于该第一阱内；一第二掺杂电极区，具有该第二导电型，位于该第一阱内并邻近该第一掺杂电极区；一高截止电压通道区，位于该第一阱内并具有该第二导电型，该高截止电压通道区由该衬底的表面向下扩展且覆盖部份的该第二掺杂电极区的表面，其中，该高截止电压通道区的表面具有一第一侧边、一第二侧边、一第三侧边及一第四侧边，该第一侧边与该第二侧边相对，该第三侧边与该第四侧边相对，该第一侧边与该第二侧边邻接于该第三侧边与该第四侧边。