[发明专利]降低反射讯号的内存结构在审

专利信息
申请号: 201310014984.4 申请日: 2013-01-16
公开(公告)号: CN103927286A 公开(公告)日: 2014-07-16
发明(设计)人: 林正隆 申请(专利权)人: 森富科技股份有限公司
主分类号: G06F13/40 分类号: G06F13/40
代理公司: 长沙正奇专利事务所有限责任公司 43113 代理人: 何为;袁颖华
地址: 中国台湾新竹县*** 国省代码: 暂无信息
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摘要: 一种降低反射讯号的内存结构,其包含有处理单元;与处理单元连接的总线路单元;数个与总线路单元连接的内存;以及设于总线路单元末端处的反射讯号吸收单元。藉此,可于处理单元配合各内存作讯号传输时,利用反射讯号吸收单元吸收相关的反射讯号,以降低讯号传输时的反射讯号,而达到使各内存可稳定运作的功效。
搜索关键词: 降低 反射 讯号 内存 结构
【主权项】:
1.一种降低反射讯号的内存结构,其特征在于包括处理单元、总线路单元、数个内存及反射讯号吸收单元,该总线路单元与处理单元连接;该数个内存与总线路单元连接;该反射讯号吸收单元设于总线路单元的末端处;所述数个内存设置于一芯片上而形成内存芯片,而该内存芯片与总线路单元连接;所述总线路单元的前端处设置有另一反射讯号吸收单元;电路布局时,处理单元与总线路单元之间设有至少二地址/控制/命令区,而数个内存则分别设于各地址/控制/命令区两侧,且该总线路单元与数个内存之间设有接地区,并于该处理单元与数个内存之间设有数根电源线。
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