[发明专利]降低反射讯号的内存结构在审
申请号: | 201310014984.4 | 申请日: | 2013-01-16 |
公开(公告)号: | CN103927286A | 公开(公告)日: | 2014-07-16 |
发明(设计)人: | 林正隆 | 申请(专利权)人: | 森富科技股份有限公司 |
主分类号: | G06F13/40 | 分类号: | G06F13/40 |
代理公司: | 长沙正奇专利事务所有限责任公司 43113 | 代理人: | 何为;袁颖华 |
地址: | 中国台湾新竹县*** | 国省代码: | 暂无信息 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 一种降低反射讯号的内存结构,其包含有处理单元;与处理单元连接的总线路单元;数个与总线路单元连接的内存;以及设于总线路单元末端处的反射讯号吸收单元。藉此,可于处理单元配合各内存作讯号传输时,利用反射讯号吸收单元吸收相关的反射讯号,以降低讯号传输时的反射讯号,而达到使各内存可稳定运作的功效。 | ||
搜索关键词: | 降低 反射 讯号 内存 结构 | ||
【主权项】:
1.一种降低反射讯号的内存结构,其特征在于包括处理单元、总线路单元、数个内存及反射讯号吸收单元,该总线路单元与处理单元连接;该数个内存与总线路单元连接;该反射讯号吸收单元设于总线路单元的末端处;所述数个内存设置于一芯片上而形成内存芯片,而该内存芯片与总线路单元连接;所述总线路单元的前端处设置有另一反射讯号吸收单元;电路布局时,处理单元与总线路单元之间设有至少二地址/控制/命令区,而数个内存则分别设于各地址/控制/命令区两侧,且该总线路单元与数个内存之间设有接地区,并于该处理单元与数个内存之间设有数根电源线。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于森富科技股份有限公司,未经森富科技股份有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/201310014984.4/,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:插座连接器及电连接器组合
- 下一篇:一种3dB电桥