[发明专利]选择性外延生长锗硅的晶片预处理方法有效
| 申请号： | 201310014766.0 | 申请日： | 2013-01-15 |
| 公开（公告）号： | CN103928294A | 公开（公告）日： | 2014-07-16 |
| 发明（设计）人： | 林静 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/02 | 分类号： | H01L21/02 |
| 代理公司： | 上海光华专利事务所 31219 | 代理人： | 李仪萍 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提供一种选择性外延生长锗硅的晶片预处理方法，至少包括以下步骤：1）晶片预清洗；2）将预清洗后的晶片装入反应腔，通入氢气并将晶片加热到预设温度，使氢气与晶片表面的自然氧化层发生反应以去除所述自然氧化层；3）紧接着将氯化氢气体喷到晶片表面，使氯化氢与晶片表面的金属杂质反应以溶解所述金属杂质；4）将反应腔抽真空以去除多余的氢气、氯化氢以及前两步中反应后的杂质；5）将晶片温度调整到锗硅外延生长温度并往所述反应腔内通入氢气载气和氯化氢选择气体。本发明的晶片预处理方法利用现有设备中的氯化氢气路，氯化氢处理发生于反应腔内，处理时间短，工艺简单，能大大提高晶片的洁净度，保证后续锗硅外延层的质量。 | ||
| 搜索关键词： | 选择性 外延 生长 晶片 预处理 方法 | ||
【主权项】：
一种选择性外延生长锗硅的晶片预处理方法，其特征在于，所述晶片预处理方法至少包括以下步骤：1)晶片预清洗；2)将预清洗后的晶片装入反应腔，通入氢气并将晶片加热到预设温度，使氢气与晶片表面的自然氧化层发生反应以去除所述自然氧化层；3)紧接着将氯化氢气体喷到晶片表面，使氯化氢与晶片表面的金属杂质反应以溶解所述金属杂质；4)将反应腔抽真空以去除多余的氢气、氯化氢以及所述步骤2）、3）中反应后的杂质；5)将晶片温度调整到锗硅外延生长温度并往所述反应腔内通入氢气载气和氯化氢选择气体。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于中芯国际集成电路制造（上海）有限公司，未经中芯国际集成电路制造（上海）有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201310014766.0/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：一种融合局域网的通信系统
- 下一篇：基于自主网技术的电子铅封监控系统
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
