[发明专利]选择性外延生长锗硅的晶片预处理方法

权利要求书

1.一种选择性外延生长锗硅的晶片预处理方法，其特征在于，所述晶片预处理方法至少包括以下步骤：

1)晶片预清洗；

2)将预清洗后的晶片装入反应腔，通入氢气并将晶片加热到预设温度，使氢气与晶片表面的自然氧化层发生反应以去除所述自然氧化层；

3)紧接着将氯化氢气体喷到晶片表面，使氯化氢与晶片表面的金属杂质反应以溶解所述金属杂质；

4)将反应腔抽真空以去除多余的氢气、氯化氢以及所述步骤2）、3）中反应后的杂质；

5)将晶片温度调整到锗硅外延生长温度并往所述反应腔内通入氢气载气和氯化氢选择气体。

2.根据权利要求1所述的选择性外延生长锗硅的晶片预处理方法，其特征在于：所述步骤1）中，所述预清洗包括氢氟酸清洗的步骤。

3.根据权利要求1所述的选择性外延生长锗硅的晶片预处理方法，其特征在于：所述步骤2）中，所述预设温度的范围是650~850 ℃，通入氢气后反应腔内的气体压强范围是5~780 torr，氢气反应时间为10~100 s。

4.根据权利要求3所述的选择性外延生长锗硅的晶片预处理方法，其特征在于：所述步骤2）中通入氢气后反应腔内的气体压强范围是550~650 torr。

5.根据权利要求1所述的选择性外延生长锗硅的晶片预处理方法，其特征在于：所述步骤3）中，喷氯化氢气体时，氯化氢流量范围是30~200 sccm，喷氯化氢气体的时间为10~100 s，喷氯化氢气体时晶片温度保持在500~850 ℃。

6.根据权利要求5所述的选择性外延生长锗硅的晶片预处理方法，其特征在于：喷氯化氢气体时，氯化氢流量范围是50~80 sccm。

7.根据权利要求1所述的选择性外延生长锗硅的晶片预处理方法，其特征在于：所述步骤4）中，抽真空后反应腔内的气体压强为0~30 torr。