[发明专利]半导体面电阻均匀性的改善方法有效
| 申请号： | 201310011518.0 | 申请日： | 2013-01-11 |
| 公开（公告）号： | CN103928291B | 公开（公告）日： | 2017-06-13 |
| 发明（设计）人： | 陆健;张贵军;沈健;尤丽丽 | 申请（专利权）人： | 无锡华润上华科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/02 | 分类号： | H01L21/02 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司11227 | 代理人： | 常亮 |
| 地址： | 214028 江苏省无*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种半导体面电阻均匀性的改善方法，提供一MOCVD设备，该MOCVD设备包括一加热器，所述加热器的边缘形成有一圈气孔，清洗气体通过所述气孔沿竖直衬底的方向流向半导体的边缘，通过控制所述清洗气体的流量以改变半导体边缘成膜的厚度，减小半导体中心电阻与边缘电阻之间的电阻差。本发明通过直接改变半导体边缘成膜的厚度，可以有效控制半导体边缘电阻的大小，大大减小半导体边缘与中心部位的电阻差，实现电阻均匀性的最优化。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 电阻 均匀 改善 方法 | ||
【主权项】：
一种半导体面电阻均匀性的改善方法，其特征在于：提供一MOCVD设备，该MOCVD设备包括一加热器，所述加热器的边缘形成有一圈气孔，清洗气体通过所述气孔沿竖直衬底的方向流向半导体的边缘，通过控制所述清洗气体的流量以改变半导体边缘成膜的厚度，减小半导体中心面电阻与边缘面电阻之间的面电阻差；调整质量控制器系数因子的值以控制清洗气体的流量，当质量控制器系数因子增大时，半导体边缘的面电阻变小，当质量控制器系数因子变小时，半导体边缘的面电阻增大，所述质量控制器系数因子的值为0.8～1.2。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
