[发明专利]薄膜晶体管、薄膜晶体管阵列面板及其制造方法有效
| 申请号： | 201310009134.5 | 申请日： | 2013-01-10 |
| 公开（公告）号： | CN103456793B | 公开（公告）日： | 2018-06-22 |
| 发明（设计）人： | 李制勋;宋俊昊;吕伦钟;鄭華棟 | 申请（专利权）人： | 三星显示有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/786 | 分类号： | H01L29/786;H01L29/08;H01L27/12;H01L21/02;H01L21/28;H01L21/308;H01L21/77 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人： | 张波 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 韩国;KR |
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| 摘要： | 本发明提供了薄膜晶体管、薄膜晶体管阵列面板及其制造方法。根据本发明的示例性实施例的薄膜晶体管包括：栅电极；栅极绝缘层，位于栅电极上或位于栅电极下；沟道区域，与栅电极交叠，栅极绝缘层插设在沟道区域与栅电极之间；以及源极区域和漏极区域，相对于沟道区域彼此面对，位于与沟道区域相同的层中，并且连接到沟道区域，其中沟道区域、源极区域和漏极区域包括氧化物半导体，其中源极区域和漏极区域的载流子浓度大于沟道区域的载流子浓度。 | ||
| 搜索关键词： | 沟道区域 栅电极 薄膜晶体管 漏极区域 源极区域 载流子 薄膜晶体管阵列面板 栅极绝缘层 氧化物半导体 彼此面对 交叠 制造 | ||
【主权项】：
1.一种薄膜晶体管，包括：栅线和连接到所述栅线的栅电极；栅极绝缘层，位于所述栅电极上或位于所述栅电极下；沟道区域，与所述栅电极交叠，所述栅极绝缘层插设在所述沟道区域与所述栅电极之间；源极区域和漏极区域，相对于所述沟道区域彼此面对，位于与所述沟道区域相同的层中，并且连接到所述沟道区域；线形蚀刻停止物和连接到所述线形蚀刻停止物的蚀刻停止物，所述蚀刻停止物交叠所述沟道区域；以及数据线，延伸为与所述栅线交叉，其中所述沟道区域、所述源极区域和所述漏极区域包括氧化物半导体，其中所述源极区域和所述漏极区域的载流子浓度大于所述沟道区域的载流子浓度，和其中在俯视图中所述线形蚀刻停止物平行于所述栅线延伸、交叠所述栅线、以及与所述数据线交叉。
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