[发明专利]具有厚膜环绕壁的发光二极管元件基板、元件及制法无效

专利信息
申请号: 201310008963.1 申请日: 2013-01-10
公开(公告)号: CN103928598A 公开(公告)日: 2014-07-16
发明(设计)人: 陈建兴 申请(专利权)人: 并日电子科技(深圳)有限公司
主分类号: H01L33/62 分类号: H01L33/62;H01L33/48
代理公司: 北京明和龙知识产权代理有限公司 11281 代理人: 郁玉成
地址: 518106 广东省深圳市*** 国省代码: 广东;44
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摘要: 一种具有厚膜环绕壁的发光二极管元件基板、元件及制法,其中发光二极管元件包括发光二极管元件基板、发光二极管晶粒及透光封装层,而发光二极管元件基板则包括基板本体、凹陷侧边电极、致能回路及厚膜遮蔽层,在制作过程中,需在一片区分出多个基板本体的基片上,钻出多个贯穿基板本体的侧面穿孔,并于基板本体的上表面及侧面穿孔的壁面溅镀及电镀致能回路及凹陷侧边电极,再将厚膜遮蔽层由上方遮蔽凹陷侧边电极,其中厚膜遮蔽层更形成有一个环绕遮蔽的环绕壁,可供设置在基板本体上的发光二极管晶粒受环绕壁所环绕,再由透光封装层完整覆盖封装。
搜索关键词: 具有 环绕 发光二极管 元件 制法
【主权项】:
一个具有厚膜环绕壁的发光二极管元件基板,是供发光二极管晶粒设置,该发光二极管元件基板包括:一片基板本体,具有一个上表面、一个下表面、连接前述上下表面的两侧面及连接前述上下表面的两端缘;至少一个成型于上述两端缘之一的凹陷侧边电极;一个布局在至少该上表面的致能回路,该致能回路至少包括一个供上述发光二极管晶粒安装的安装区,且上述凹陷侧边电极被导接至该致能回路;及一个设置于至少该上表面的厚膜遮蔽层,由上方遮蔽上述凹陷侧边电极,其中该厚膜遮蔽层形成有至少部分环绕遮蔽该安装区的环绕壁,以及该环绕壁与该基板本体共同形成一个使该安装区被暴露的容置空间。
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