[发明专利]具有厚膜环绕壁的发光二极管元件基板、元件及制法

权利要求书

1.一个具有厚膜环绕壁的发光二极管元件基板，是供发光二极管晶粒设置，该发光二极管元件基板包括：

一片基板本体，具有一个上表面、一个下表面、连接前述上下表面的两侧面及连接前述上下表面的两端缘；

至少一个成型于上述两端缘之一的凹陷侧边电极；

一个布局在至少该上表面的致能回路，该致能回路至少包括一个供上述发光二极管晶粒安装的安装区，且上述凹陷侧边电极被导接至该致能回路；及

一个设置于至少该上表面的厚膜遮蔽层，由上方遮蔽上述凹陷侧边电极，其中该厚膜遮蔽层形成有至少部分环绕遮蔽该安装区的环绕壁，以及该环绕壁与该基板本体共同形成一个使该安装区被暴露的容置空间。

2.如权利要求1所述的发光二极管元件基板，更包括一层至少部分覆盖该厚膜遮蔽层的金属反射薄膜层。

3.如权利要求1或2所述的发光二极管元件基板，其中前述环绕壁系多层光阻叠层。

4.一个具有厚膜环绕壁的发光二极管元件，包括：

一片发光二极管元件基板，包括

一片基板本体，具有一个上表面、一个下表面、连接前述上下表面的两侧面及连接前述上下表面的两端缘；

至少一个成型于上述两端缘之一的凹陷侧边电极；

一个布局在至少该上表面的致能回路，该致能回路至少包括一个安装区，且上述凹陷侧边电极被导接至该致能回路；及

一个设置于至少该上表面的厚膜遮蔽层，由上方遮蔽上述凹陷侧边电极，其中该厚膜遮蔽层形成有至少部分环绕遮蔽该安装区的环绕壁，以及该环绕壁与该基板本体共同形成一个使该安装区被暴露的容置空间；及

至少一个安装于上述安装区、并被导接至上述致能回路的发光二极管晶粒；及

一层完整覆盖该发光二极管晶粒的透光封装层。

5.如权利要求4所述的发光二极管元件，更包括一层设置在该容置空间内、介于上述发光二极管晶粒与该透光封装层间的荧光材质胶体。

6.一种具有厚膜环绕壁的发光二极管元件的制造方法，是供至少一个具有一组致能端部的发光二极管晶粒设置，并将一片基片预先区划成多个基板本体，前述各基板本体分别具有一个上表面、一个下表面、连接前述上下表面的两侧面及连接前述上下表面的两端缘，其中该二极管元件的制造方法包括下列步骤：

a)分别在前述各基板本体对应前述端缘位置形成多个贯穿前述上下表面的侧面穿孔；

b)分别将多个具有一个安装区的致能回路布局在前述各基板本体上表面，并至少分别在前述两端缘之一及对应该端缘的侧面穿孔设置一个导接对应该致能回路的凹陷侧边电极；及

c)将一个厚膜遮蔽层设置于各前述上表面，从上方遮蔽各前述凹陷侧边电极，其中每一上述厚膜遮蔽层分别形成有至少部分环绕遮蔽该安装区的环绕壁，并与各上述对应基板本体共同形成有使各上述对应安装区被暴露的容置空间。

7.如权利要求6所述的发光二极管元件的制造方法，其中该步骤c)中设置厚膜遮蔽层的步骤更包括下列次步骤：

c1)在每一上述基板本体上设置形成一第一层光阻膜；

c2)当该第一层光阻膜厚度未达一预定厚度时，于上述光阻膜上增加一层上层光阻膜，直到达到该预定厚度；

c3)将一对应该至少一个环绕壁形状及前述侧面穿孔的光罩覆盖于该光阻膜上进行曝光，使该光阻膜固化；及

c4)对该光阻膜进行显影，形成该至少一个环绕壁及厚膜遮蔽层。

8.如权利要求6所述发光二极管元件的制造方法，其中该步骤c)中设置厚膜遮蔽层的步骤更包括下列次步骤：

c5)在该厚膜遮蔽层形成一个金属材质的种子层；及

c6)在该种子层上电镀增厚、并形成一个金属反射薄膜层。

9.如权利要求6所述的发光二极管元件的制造方法，更包括在步骤c)后的下列步骤：

d)将前述发光二极管晶粒分别安装在安装区，并将前述发光二极管晶粒的致能端部分别导接至前述侧边电极及/或致能回路；

e)设置一组具有多个分别对应该等基板的预定形状模穴的模具于该基材上，并注入一透明材质，以形成多个符合该等模穴预定形状的封装，完整覆盖该等发光二极管晶粒、该等环绕壁、及该等固化后的含有荧光材质的胶体；

f)切割该基片，形成多个发光二极管元件。

10.如权利要求9所述的发光二极管元件的制造方法，更包含在步骤d)与步骤e)间，将含有荧光材质的液态胶体注入该环绕壁的容置空间并覆盖前述发光二极管晶粒的步骤g)。