[发明专利]有机金属化学气相沉积装置和方法有效
申请号: | 201310001157.1 | 申请日: | 2010-09-28 |
公开(公告)号: | CN103103502A | 公开(公告)日: | 2013-05-15 |
发明(设计)人: | 陈周 | 申请(专利权)人: | 丽佳达普株式会社 |
主分类号: | C23C16/54 | 分类号: | C23C16/54;C23C16/34;C30B25/08;C30B29/40 |
代理公司: | 北京鸿元知识产权代理有限公司 11327 | 代理人: | 陈英俊 |
地址: | 韩国*** | 国省代码: | 韩国;KR |
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摘要: | 本发明提供一种有机金属化学气相沉积装置,包括:反应室,在所述反应室中,通过使用第III-V族材料,将氮化物层沉积在衬底上,缓冲室,所述缓冲室连接到反应室,在所述缓冲室中布置有传送机器人,以便将所述衬底传送到反应室中和传送出反应室,气体供应设备,所述气体供应设备被配置为选择性地将氢气、氮气、和氨气中的一种或多种供应到所述缓冲室中,从而当所述缓冲室与所述反应室中的一个连通时,所述缓冲室的气氛与所述反应室的气氛相同;以及设置在所述缓冲室中的加热器。在反应室中,氮化物层沉积在衬底上,并且缓冲室的温度和气体气氛被调节为使得当传送衬底时,可以稳定地保持形成在衬底上的外延层。 | ||
搜索关键词: | 有机 金属 化学 沉积 装置 方法 | ||
【主权项】:
一种有机金属化学气相沉积方法,包括:将衬底从缓冲室传送到第一反应室;在所述第一反应室中,在所述衬底上生长未掺杂层、n‑型掺杂层、和活性层;将所述衬底从所述第一反应室传送到第二反应室;以及在所述活性层上形成p‑型掺杂层。
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C23 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面化学处理;金属材料的扩散处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆;金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆,例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上,例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆,例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的
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