[发明专利]脉冲电化学抛光方法及装置有效
| 申请号： | 201280073426.9 | 申请日： | 2012-05-24 |
| 公开（公告）号： | CN104471690B | 公开（公告）日： | 2017-04-19 |
| 发明（设计）人： | 王坚;金一诺;王俊;王晖 | 申请（专利权）人： | 盛美半导体设备(上海)有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/321 | 分类号： | H01L21/321;B23H3/02;B24B57/02;C25F3/16 |
| 代理公司： | 上海专利商标事务所有限公司31100 | 代理人： | 陆嘉 |
| 地址： | 201203 上海张*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 揭示了一种用于脉冲电化学抛光晶圆的方法及装置。该方法包括下述步骤建立占空比表，占空比表揭示了晶圆上所有点、与各点相对应的金属层去除厚度值及与金属层去除厚度值相对应的占空比；驱动夹持并定位晶圆(8)的晶圆夹盘(5)以预设的速度移动，以使得晶圆上一特定点位于向晶圆(8)喷射带电荷的电解液(7)的喷嘴(6)的正上方；查占空比表，获得与该特定点相对应的金属层去除厚度值及占空比；及提供预设的脉冲电源至晶圆(8)及喷嘴(6)，抛光该特定点的实际抛光电源等于与该特定点相对应的占空比乘以预设的脉冲电源。 | ||
| 搜索关键词： | 脉冲 电化学 抛光 方法 装置 | ||
【主权项】：
一种脉冲电化学抛光方法，其特征在于，包括：建立占空比表，占空比表揭示了晶圆上所有点、与各点相对应的金属层去除厚度值及与金属层去除厚度值相对应的占空比；驱动夹持有晶圆的晶圆夹盘以预设的速度移动，晶圆上一特定点位于向晶圆喷射带电荷的电解液的喷嘴的正上方；查占空比表，获得与该特定点相对应的金属层去除厚度值及占空比；及提供预设的脉冲电源至晶圆及喷嘴，抛光该特定点的实际抛光电源等于与该特定点相对应的占空比乘以预设的脉冲电源。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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