[发明专利]固态成像元件以及电子装置有效
申请号: | 201280060303.1 | 申请日: | 2012-12-04 |
公开(公告)号: | CN103975437B | 公开(公告)日: | 2018-04-20 |
发明(设计)人: | 佐藤尚之 | 申请(专利权)人: | 索尼半导体解决方案公司 |
主分类号: | H01L27/146 | 分类号: | H01L27/146 |
代理公司: | 北京市柳沈律师事务所11105 | 代理人: | 焦玉恒 |
地址: | 日本神*** | 国省代码: | 暂无信息 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 本公开涉及一种能够抑制暗电流产生并获得更高图像质量的固态成像元件和电子装置。固态成像元件包括高浓度扩散层,配置为用作连接部分,配线通过该连接部分连接到半导体衬底;以及结漏控制膜,形成以覆盖该扩散层的表面。另外,为了将配线和扩散层连接,堆叠于半导体衬底上的绝缘膜中形成的开口宽度大于扩散层的宽度。更进一步,电荷累积部分配置为累积根据接收到的光量而产生电荷的光电转换部分所产生的电荷,其中,结漏控制膜同时被用作电荷累积部分的电容膜。此外,形成有氧化硅或低界面态氧化膜于其中的堆叠结构包含在扩散层和结漏控制膜之间。本技术例如可应用于CMOS图像传感器。 | ||
搜索关键词: | 固态 成像 元件 以及 电子 装置 | ||
【主权项】:
一种固态成像元件,包括:高浓度扩散层,配置为用作连接部分,配线通过所述连接部分连接至半导体衬底;以及结漏控制膜,形成以覆盖所述扩散层的表面,其中,所述固态成像元件还包括:光电转换部分,配置为根据光照量产生并且积累电荷;以及暗电流抑制膜,形成以覆盖所述光电转换部分的表面,其中,所述扩散层之上的所述结漏控制膜和所述光电转换部分之上的所述暗电流抑制膜的负固定电荷量不同。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于索尼半导体解决方案公司,未经索尼半导体解决方案公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/201280060303.1/,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:托盘车辅助轮减震机构
- 下一篇:用于汽车轮胎的警报装置
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的