[发明专利]固态成像元件以及电子装置有效

专利信息
申请号: 201280060303.1 申请日: 2012-12-04
公开(公告)号: CN103975437B 公开(公告)日: 2018-04-20
发明(设计)人: 佐藤尚之 申请(专利权)人: 索尼半导体解决方案公司
主分类号: H01L27/146 分类号: H01L27/146
代理公司: 北京市柳沈律师事务所11105 代理人: 焦玉恒
地址: 日本神*** 国省代码: 暂无信息
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摘要: 本公开涉及一种能够抑制暗电流产生并获得更高图像质量的固态成像元件和电子装置。固态成像元件包括高浓度扩散层,配置为用作连接部分,配线通过该连接部分连接到半导体衬底;以及结漏控制膜,形成以覆盖该扩散层的表面。另外,为了将配线和扩散层连接,堆叠于半导体衬底上的绝缘膜中形成的开口宽度大于扩散层的宽度。更进一步,电荷累积部分配置为累积根据接收到的光量而产生电荷的光电转换部分所产生的电荷,其中,结漏控制膜同时被用作电荷累积部分的电容膜。此外,形成有氧化硅或低界面态氧化膜于其中的堆叠结构包含在扩散层和结漏控制膜之间。本技术例如可应用于CMOS图像传感器。
搜索关键词: 固态 成像 元件 以及 电子 装置
【主权项】:
一种固态成像元件,包括:高浓度扩散层,配置为用作连接部分,配线通过所述连接部分连接至半导体衬底;以及结漏控制膜,形成以覆盖所述扩散层的表面,其中,所述固态成像元件还包括:光电转换部分,配置为根据光照量产生并且积累电荷;以及暗电流抑制膜,形成以覆盖所述光电转换部分的表面,其中,所述扩散层之上的所述结漏控制膜和所述光电转换部分之上的所述暗电流抑制膜的负固定电荷量不同。
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