[发明专利]固态成像元件以及电子装置

权利要求书

1.一种固态成像元件，包括：

高浓度扩散层，配置为用作连接部分，配线通过所述连接部分连接至半导体衬底；以及

结漏控制膜，形成以覆盖所述扩散层的表面，

其中，所述固态成像元件还包括：

光电转换部分，配置为根据光照量产生并且积累电荷；以及

暗电流抑制膜，形成以覆盖所述光电转换部分的表面，

其中，所述扩散层之上的所述结漏控制膜和所述光电转换部分之上的所述暗电流抑制膜的负固定电荷量不同。

2.根据权利要求1所述的固态成像元件，其中，为了将所述配线连接至所述扩散层，堆叠在所述半导体衬底上的绝缘膜中形成的开口的宽度大于所述扩散层的宽度。

3.根据权利要求1所述的固态成像元件，还包括：

电荷累积部分，配置为累积由光电转换部分产生的电荷，所述光电转换部分根据接收的光量产生电荷，

其中，所述结漏控制膜还用作所述电荷累积部分的电容膜。

4.根据权利要求1所述的固态成像元件，其中，在所述扩散层和所述结漏控制膜之间形成低界面态氧化膜，并且所述固态成像元件包含堆叠结构，在所述堆叠结构中所述低界面态氧化膜和所述结漏控制膜堆叠在所述半导体衬底上。

5.根据权利要求1所述的固态成像元件，其中，所述扩散层之上的所述结漏控制膜的负固定电荷量被设定为少于所述光电转换部分之上的所述暗电流抑制膜的负固定电荷量。

6.根据权利要求5所述的固态成像元件，其中，形成在所述光电转换部分之上的所述暗电流抑制膜被配置为具有第一负固定电荷膜和第二负固定电荷膜的堆叠结构，所述第二负固定电荷膜的固定电荷量少于所述第一负固定电荷膜的固定电荷量，并且

其中，形成在所述扩散层之上的所述结漏控制膜是通过所述第二负固定电荷膜形成的。

7.根据权利要求5所述的固态成像元件，其中，形成在所述扩散层之上的所述结漏控制膜被配置为具有负固定电荷膜和正固定电荷膜的堆叠结构，并且，

其中，形成在所述光电转换部分之上的所述暗电流抑制膜是通过所述负固定电荷膜形成的。

8.根据权利要求6所述的固态成像元件，其中，形成在所述光电转换部分之上的所述暗电流抑制膜被配置为具有所述第一负固定电荷膜和第二负固定电荷膜的堆叠结构，所述第二负固定电荷膜的固定电荷量少于所述第一负固定电荷膜的固定电荷量，并且

其中，形成在所述扩散层之上的所述结漏控制膜被配置为具有所述第二负固定电荷膜和正固定电荷膜的堆叠结构。

9.一种电子装置，包括固态成像元件，所述固态成像元件配置为包括：

高浓度扩散层，用作连接部分，配线通过所述连接部分连接至半导体衬底；以及

结漏控制膜，形成以覆盖所述扩散层的表面，

其中，所述固态成像元件还包括：

光电转换部分，配置为根据光照量产生并且积累电荷；以及

暗电流抑制膜，形成以覆盖所述光电转换部分的表面，

其中，所述扩散层之上的所述结漏控制膜和所述光电转换部分之上的所述暗电流抑制膜的负固定电荷量不同。