[发明专利]测定装置、测定方法、及半导体元件制造方法无效
| 申请号： | 201280054130.2 | 申请日： | 2012-11-29 |
| 公开（公告）号： | CN103918059A | 公开（公告）日： | 2014-07-09 |
| 发明（设计）人： | 藤森义彦 | 申请（专利权）人： | 株式会社尼康 |
| 主分类号： | H01L21/027 | 分类号： | H01L21/027;G03F7/20 |
| 代理公司： | 北京三友知识产权代理有限公司 11127 | 代理人： | 汤在彦 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明提供了一种能从形成于晶片上的元件图案测量曝光图案时的聚焦状态的装置。具备：照明系(20)，以照明光照明于表面具有因曝光而形成的图案的晶片(10)；受光系(30)及摄影装置(35)，检测因形成于晶片(10)表面的图案而被调变的照明光并输出检测信号；以及检查部(42)，使用在该图案的多个部分检测出的检测信号测定晶片(10)表面上的所欲部分的图案的曝光条件。 | ||
| 搜索关键词： | 测定 装置 方法 半导体 元件 制造 | ||
【主权项】：
一种测定装置，具备：照明部，是以照明光照明于表面具有因曝光而形成的图案的基板；检测部，检测因所述图案而被调变的照明光并输出检测信号；以及测定部，使用在所述图案的多个部分检测出的检测信号测定所欲部分的所述图案的曝光条件。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
