[发明专利]测定装置、测定方法、及半导体元件制造方法

权利要求书

1.一种测定装置，具备：

照明部，是以照明光照明于表面具有因曝光而形成的图案的基板；

检测部，检测因所述图案而被调变的照明光并输出检测信号；以及

测定部，使用在所述图案的多个部分检测出的检测信号测定所欲部分的所述图案的曝光条件。

2.根据权利要求1所述的测定装置，其中，所述测定部使用在包含所述所欲部分的多个部分检测出的检测信号，测定所述所欲部分的图案的曝光条件。

3.根据权利要求1或2所述的测定装置，其中，所述测定部从在所述所欲部分的周围部分检测出的检测信号，测定所述所欲部分的图案的曝光条件。

4.根据权利要求1至3中任一项所述的测定装置，其中，所述测定部从在所述所欲部分检测出的检测信号与从在所述所欲部分以外的部分检测出的检测信号求出的与所述所欲部分对应的信号，测定所述所欲部分的图案的曝光条件。

5.根据权利要求3或4所述的测定装置，其中，所述测定部从在所述所欲部分的周围部分检测出的信号，通过内插求出与所述所欲部分对应的检测信号。

6.根据权利要求4所述的测定装置，其中，所述测定部使用在所述所欲部分、所述所欲部分的周围部分且为与所述所欲部分有相关的部分检测出的检测信号，测定所述所欲部分的图案的曝光条件。

7.根据权利要求1至6中任一项所述的测定装置，其中，检测出所述被调变的照明光的检测条件是就每一所述部分来设定。

8.根据权利要求1至7中任一项所述的测定装置，其中，所述检测部检测出基于因所述图案产生的绕射或偏光的调变。

9.根据权利要求1至8中任一项所述的测定装置，其进一步具有预先储存有在以多个曝光条件形成的图案检测出的检测信号的储存部；

所述测定部比较储存于所述储存部的检测信号与以所述检测部检测出的检测信号以测定所述表面上的所欲部分的图案的曝光条件。

10.根据权利要求1至9中任一项所述的测定装置，其中，以所述测定部测定的所述曝光条件是所述曝光的聚焦状态与曝光量中的至少一方。

11.一种测定方法，以照明光照明于表面具有因曝光而形成的图案的基板；

检测因所述图案而被调变的照明光并输出检测信号；

使用在所述图案的多个部分检测出的检测信号测定所欲部分的所述图案的曝光条件。

12.根据权利要求11所述的测定方法，使用在包含所述所欲部分的多个部分检测出的检测信号，测定所述所欲部分的图案的曝光条件。

13.根据权利要求11或12所述的测定方法，从在所述所欲部分检测出的检测信号与从在所述所欲部分以外的部分检测出的检测信号求出的与所述所欲部分对应的信号，测定所述所欲部分的图案的曝光条件。

14.根据权利要求11至13中任一项所述的测定方法，从在所述所欲部分的周围部分检测出的检测信号求出与所述所欲部分对应的信号，以测定所述所欲部分的图案的曝光条件。

15.根据权利要求13或14所述的测定方法，从在所述所欲部分的周围部分检测出的信号，通过内插求出与所述所欲部分对应的检测信号。

16.根据权利要求13所述的测定方法，从在所述所欲部分检测出的检测信号、及从所述所欲部分以外的部分且为与所述所欲部分有相关的部分检测出的检测信号求出的与所述所欲部分对应的信号，测定所述所欲部分的图案的曝光条件。

17.根据权利要求11至16中任一项所述的测定方法，其中，检测出所述被调变的照明光的检测条件是就每一所述部分来设定。

18.根据权利要求11至17中任一项所述的测定方法，其中，所述检测是检测出基于因所述图案产生的绕射或偏光的调变。

19.根据权利要求11至18中任一项所述的测定方法，其中，预先储存有在以多个曝光条件形成的图案检测出的检测信号；

比较所述储存的检测信号与所述检测出的检测信号以测定所述表面上的所欲部分的图案的曝光条件。

20.根据权利要求11至19中任一项所述的测定方法，其中，所述测定的所述曝光条件是所述曝光的聚焦状态与曝光量中的至少一方。

21.一种半导体元件制造方法，具有于基板表面曝光出图案的微影工艺：

于前述曝光后，使用如权利要求11至20中任一项所述的测定方法，测定对设有所述图案的基板的所述曝光时的曝光条件；

根据所述测定的曝光条件修正曝光条件；

以修正后的曝光条件于基板表面曝光出图案。