[发明专利]制造碳化硅半导体器件的方法有效
| 申请号： | 201280053966.0 | 申请日： | 2012-10-30 |
| 公开（公告）号： | CN103946431A | 公开（公告）日： | 2014-07-23 |
| 发明（设计）人： | 本家翼;原田真 | 申请（专利权）人： | 住友电气工业株式会社 |
| 主分类号： | C30B29/36 | 分类号： | C30B29/36;H01L21/336;H01L21/66;H01L29/12;H01L29/78 |
| 代理公司： | 中原信达知识产权代理有限责任公司 11219 | 代理人： | 李兰;孙志湧 |
| 地址： | 日本大阪*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 一种制造碳化硅半导体器件(100)的方法，包括以下步骤。制备具有第一主表面(1)以及第二主表面(2)的碳化硅衬底(80)。在第一主表面(1)上形成电极(112)。碳化硅衬底(80)具有六方晶体结构。第一主表面(1)相对于{0001}面具有±8°或更小的偏离角(OA)。第一主表面(1)具有这种性质：当用具有等于或大于碳化硅的带隙的能量的激发光(LE)照射时，以1×104cm-2或更小的密度在第一主表面(1)中产生在750nm或更大的波长范围内的发光区(3)。由此可以提升碳化硅半导体器件(100)的良率。 | ||
| 搜索关键词： | 制造 碳化硅 半导体器件 方法 | ||
【主权项】：
一种制造碳化硅半导体器件(100)的方法，包括以下步骤：制备具有第一主表面(1)以及与所述第一主表面相反的第二主表面(2)的碳化硅衬底(80)；以及在所述第一主表面上形成电极(112)，所述碳化硅衬底具有六方晶体结构，所述第一主表面相对于{0001}面具有±8°或更小的偏离角(OA)，所述第一主表面具有以下性质：当用具有等于或大于碳化硅的带隙的能量的激发光(LE)照射时，在所述第一主表面中以1×104cm‑2或更小的密度产生处于750nm或更大的波长范围内的发光区(3)。
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