[发明专利]形成n型掺杂半导体基板的p型掺杂铝表面区域的方法无效
| 申请号： | 201280052909.0 | 申请日： | 2012-11-05 |
| 公开（公告）号： | CN103907198A | 公开（公告）日： | 2014-07-02 |
| 发明（设计）人： | K·W·杭;A·G·普林斯;M·罗斯;R·J·S·扬 | 申请（专利权）人： | E.I.内穆尔杜邦公司 |
| 主分类号： | H01L31/0224 | 分类号： | H01L31/0224;H01L31/18 |
| 代理公司： | 上海专利商标事务所有限公司 31100 | 代理人： | 江磊 |
| 地址： | 美国特*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 一种用于形成n型半导体基板的至少一个p型掺杂铝表面区域的方法，所述方法包括以下步骤：(1)提供n型半导体基板，(2)在所述n型半导体基板的至少一个表面区域上施加并干燥铝浆，(3)焙烧所述干燥过的铝浆，以及(4)用水除去所述焙烧过的铝浆，其中在步骤(2)中使用的所述铝浆包含粒状铝、有机载体和基于总铝浆组合物计3至20重量％的玻璃料。 | ||
| 搜索关键词： | 形成 掺杂 半导体 表面 区域 方法 | ||
【主权项】：
用于形成n型半导体基板的至少一个p型掺杂铝表面区域的方法，所述方法包括以下步骤：(1)提供n型半导体基板，(2)在所述n型半导体基板的至少一个表面区域上施加并干燥铝浆，(3)焙烧所述干燥过的铝浆，以及(4)用水除去所述焙烧过的铝浆，其中在步骤(2)中使用的所述铝浆包含粒状铝、有机载体和基于总铝浆组合物计3至20重量％的玻璃料。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
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H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
