[发明专利]碳化硅外延有效
| 申请号： | 201280052855.8 | 申请日： | 2012-10-23 |
| 公开（公告）号： | CN103946953A | 公开（公告）日： | 2014-07-23 |
| 发明（设计）人： | P·阔德 | 申请（专利权）人： | 砧半导体有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/02 | 分类号： | H01L21/02 |
| 代理公司： | 北京润平知识产权代理有限公司 11283 | 代理人： | 黄志兴;李翔 |
| 地址： | 英国沃*** | 国省代码： | 英国;GB |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 一种方法，所述方法包括：提供单晶体硅晶片(11)，该单晶体硅晶片具有主表面(17)，该主表面支撑掩蔽层(24)，例如，二氧化硅或多晶硅，该掩蔽层具有窗口(25)，该窗口用来暴露硅晶片的对应区域，在晶片的暴露区域上形成碳化硅种子区域(30)，例如通过形成碳并且将该碳转化为碳化硅，和在所述碳化硅种子区域上生长单晶体碳化硅(31)。因此，单晶体碳化硅能够选择性地形成在硅晶片上，这可以有助于避免晶片翘曲。 | ||
| 搜索关键词： | 碳化硅 外延 | ||
【主权项】：
一种方法，所述方法包括：提供单晶体硅晶片，所述单晶体硅晶片具有主表面，所述主表面支撑具有窗口的掩蔽层，所述窗口暴露所述硅晶片的对应区域；在所述晶片的暴露区域上形成碳化硅种子区域；和在所述碳化硅种子区域上生长单晶体碳化硅。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
