[发明专利]碳化硅外延

权利要求书

1.一种方法，所述方法包括：

提供单晶体硅晶片，所述单晶体硅晶片具有主表面，所述主表面支撑具有窗口的掩蔽层，所述窗口暴露所述硅晶片的对应区域；

在所述晶片的暴露区域上形成碳化硅种子区域；和

在所述碳化硅种子区域上生长单晶体碳化硅。

2.根据权利要求1的方法，其中，提供具有支撑掩蔽层的主表面的所述硅晶片包括：

提供单晶体硅晶片；

在所述硅晶片上形成掩蔽层，所述掩蔽层直接覆盖在主层上；

在所述掩蔽层上提供具有窗口的蚀刻掩模；和

通过所述蚀刻掩模中的所述窗口蚀刻所述掩蔽层以达到所述晶片的所述主表面。

3.根据权利要求1或2的方法，其中，所述掩蔽层是电介质材料层。

4.根据权利要求3的方法，其中，所述掩蔽层是碳化硅层。

5.根据权利要求4的方法，其中，形成的所述碳化硅层是热氧化物层。

6.根据权利要求1或2的方法，其中，所述掩蔽层是半导体层或传导材料层。

7.根据权利要求1或2的方法，其中，所述掩蔽层是多晶硅层。

8.根据任何前述权利要求的方法，其中，所述掩蔽层包括双层，所述双层包括第一双层层和第二双层层。

9.根据任何前述权利要求的层，其中，所述掩蔽层具有范围在2000到10000埃之间的厚度。

10.根据任何前述权利要求的层，其中，所述掩蔽层具有范围在4000到6000埃之间的厚度。

11.根据任何前述权利要求的方法，其中，所述主表面是第一主表面并且所述掩蔽层是第一掩蔽层，并且所述硅晶片具有支撑第二掩蔽层的相对的第二主表面。

12.根据权利要求11的方法，其中，所述第一掩蔽层和所述第二掩蔽层包括相同的材料。

13.根据任何前述权利要求的方法，其中，形成所述碳化硅种子区域包括：

将碳沉积在所述晶片的暴露区域上；和

将所述碳转化为碳化硅。

14.根据任何前述权利要求的方法，其中，生长所述碳化硅包括生长具有至少0.5μm、可选择地至少1μm、可选择地至少2μm、和/或可选择地至少5μm的厚度的碳化硅。

15.根据任何前述权利要求的方法，其中，生长所述碳化硅层包括生长具有不超过5μm或不超过10μm的厚度的碳化硅。

16.根据任何前述权利要求的方法，其中，生长所述碳化硅层包括生长三阶立方碳化硅。

17.根据任何前述权利要求的方法，其中，所述晶片具有至少4英寸(101.6mm)或100mm的直径。

18.根据任何前述权利要求的方法，其中，所述晶片具有至少500μm的厚度。

19.根据任何前述权利要求的方法，还包括：

处理所述碳化硅以形成半导体装置。

20.根据任何前述权利要求的方法，还包括：

在所述窗口之间切割所述掩蔽层和所述硅晶片以形成裸片。

21.根据任何前述权利要求的方法，其中，所述窗口具有第一宽度，所述第一宽度显著大于所述窗口之间的第二宽度。

22.根据任何前述权利要求的方法，其中，所述窗口具有范围在5mm到20mm之间的宽度和/或长度。

23.根据任何前述权利要求的方法，其中，所述窗口通过小于1mm、小于500μm或小于200μm的宽度隔开。

24.根据任何前述权利要求的方法，其中，所述窗口通过大约100μm的宽度隔开。

25.一种形成半导体裸片的方法，所述方法包括根据任何前述权利要求的方法。

26.一种方法，所述方法包括：

根据权利要求25形成半导体裸片；和

封装所述半导体裸片。