[发明专利]半导体元件的接合方法及接合结构有效
申请号: | 201280050852.0 | 申请日: | 2012-10-17 |
公开(公告)号: | CN103890976B | 公开(公告)日: | 2016-11-02 |
发明(设计)人: | 水野英范;牧田纪久夫 | 申请(专利权)人: | 独立行政法人产业技术综合研究所 |
主分类号: | H01L31/18 | 分类号: | H01L31/18;H01L31/043 |
代理公司: | 中原信达知识产权代理有限责任公司 11219 | 代理人: | 权太白;谢丽娜 |
地址: | 日本,*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | 本发明提供在界面确保优良的导电性及透明性并将半导体元件接合的方法以及基于该接合方法的接合结构。提供在界面确保优良的导电性并且能够进行有利于元件特性的光学特性的设计的半导体元件的接合方法以及基于该接合方法的接合结构。将未被有机分子覆盖的导电性纳米粒子无光学损失地配置于半导体元件的表面,使另一个半导体元件压接于该导电性纳米粒子上。 | ||
搜索关键词: | 半导体 元件 接合 方法 结构 | ||
【主权项】:
一种半导体元件的接合方法,其特征在于,将未被有机分子覆盖的导电性纳米粒子排列于一个半导体元件表面,上述导电性纳米粒子的排列间隔是导电性纳米粒子尺寸的2倍以上10倍以下的距离,在该导电性纳米粒子之上压接另一个半导体元件。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
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H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的