[发明专利]碳化硅单晶基板及研磨液有效
| 申请号： | 201280049471.0 | 申请日： | 2012-10-02 |
| 公开（公告）号： | CN103857765A | 公开（公告）日： | 2014-06-11 |
| 发明（设计）人： | 吉田伊织;竹宫聪;朝长浩之 | 申请（专利权）人： | 旭硝子株式会社 |
| 主分类号： | C09K3/14 | 分类号： | C09K3/14;C30B29/36;C30B33/10;H01L21/205;H01L21/304 |
| 代理公司： | 中原信达知识产权代理有限责任公司 11219 | 代理人： | 王海川;穆德骏 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明涉及碳化硅单晶基板，其具备具有包含来源于结晶结构的原子台阶和平台的原子台阶-平台结构的主面，所述原子台阶-平台结构中，所述原子台阶的前端线部的平均线粗糙度相对于所述原子台阶的高度的比例为20%以下。 | ||
| 搜索关键词： | 碳化硅 单晶基板 研磨 | ||
【主权项】：
一种碳化硅单晶基板，其具备具有包含来源于结晶结构的原子台阶和平台的原子台阶‑平台结构的主面，所述原子台阶‑平台结构中，所述原子台阶的前端线部的平均线粗糙度相对于所述原子台阶的高度的比例为20%以下。
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