[发明专利]反射型曝光用掩模坯及反射型曝光用掩模

摘要

本发明提供一种反射型曝光用掩模坯及反射型曝光用掩模，实现光不会从电路图案区域以外发生反射、从而能够高精度地进行曝光转印的反射型曝光用掩模。反射型掩模坯具有形成在基板（11）上的多层反射膜（12）、保护膜（13）、吸收膜（14）、背面导电膜（15）。背面导电膜由氧化铟锡形成。基板包含SiO2；TiO2；及锰（Mn）、铜（Cu）、钴（Co）、铬（Cr）、铁（Fe）、银（Ag）、镍（Ni）、硫（S）、硒（Se）、金（Au）、钕（Nd）的氧化物中的至少一种。选择性地除去反射型掩模坯的吸收膜而形成电路图案，除去电路图案周围的吸收膜、保护膜和多层反射膜而形成遮光框，从而制作反射型掩模。

主权项

一种反射型掩模坯，包括：基板；形成在所述基板上、且将曝光的光进行反射的多层反射膜；形成在所述多层反射膜上、且保护所述多层反射膜的保护膜；形成在所述保护膜上、且将曝光的光进行吸收的吸收膜；以及形成在所述基板的、与形成有所述多层反射膜的面相反的面上的导电膜，所述基板厚度为6.35mm，由以石英(SiO2)为主成分且包含氧化钛(TiO2)的材料形成，所述多层反射膜由多层构造形成，所述多层构造是通过在所述基板上以最上层为硅(Si)的方式交替地层合40对、共计80层的、4.2nm的钼(Mo)、2.8nm的硅(Si)而形成的，所述保护膜形成在所述多层反射膜上，且具有单层构造，所述单层构造由0.5nm至3nm的钌(Ru)形成，所述吸收膜形成在所述保护膜上，且具有层合构造，所述层合构造是在以钽(Ta)为母材且包含硅(Si)的化合物形成的20nm至150nm的构造上、作为最上层进一步层合5nm至20nm的以钽(Ta)为母材且包含硅(Si)的化合物的材料而形成的，所述导电膜具有单层构造，所述单层构造为100nm氧化铟锡(ITO)形成的背面导电膜，并且，对所述反射型掩模坯而言，反射光在波长250nm至850nm的范围内的平均反射率为13.5％，所述反射光为从吸收膜入射、透过基板在导电膜处反射、再次透过基板而从吸收膜射出的光。