[发明专利]半导体发射器以及用于从激光中产生有效光的方法无效
| 申请号： | 201280037204.1 | 申请日： | 2012-06-26 |
| 公开（公告）号： | CN103718397A | 公开（公告）日： | 2014-04-09 |
| 发明（设计）人： | 克劳斯·芬斯特布施;乌尔里希·哈特维希;约瑟夫·克勒尔;尼科·摩根布罗德 | 申请（专利权）人： | 欧司朗股份有限公司 |
| 主分类号： | H01S5/10 | 分类号： | H01S5/10 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 丁永凡;李德山 |
| 地址： | 德国*** | 国省代码： | 德国;DE |
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| 摘要： | 一种半导体发射器（12），其具有放大介质（2）和至少一个设置在所述放大介质（2）上的波导（3，4），其中在至少一个波导（3，4）上存在至少一个光耦合输出区域（13）并且至少一种转换波长的发光材料（11）设置在至少一个耦合输出区域（13）的下游。方法用于从激光（L）中产生有效光（N），其中所述有效光（N）从为了产生所述激光（L）而设置在放大介质（2）上的至少一个波导（3，4）中被耦合输出。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 发射器 以及 用于 激光 产生 有效 方法 | ||
【主权项】：
一种半导体发射器（1；12；14；18；21；23；25；27；30；32；34），具有放大介质（2）和至少一个设置在所述放大介质（2）上的波导（3，4），其中‑在至少一个波导（3）上存在至少一个光耦合输出区域（10；13；15；19；20；22；24；26a‑e；33；35），并且‑至少一种转换波长的发光材料（11；28；31r，31g，31b）设置在至少一个耦合输出区域（10；13；15；19，20；22；24；26a‑e；33；35）的下游。
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